レーザ・量子エレクトロニクス（ＬＱＥ）１０月研究会
共催：ＥＤ／ＣＰＭ

日時：平成15年10月2日（木）9:00〜17:45
　　　　　　　　　　　　 3日（金）9:00〜17:45
会場：名古屋工業大学　52号館102講義室
　　　　（名古屋市昭和区御器所町　名古屋工業大学内　Tel：052-735-5544 江川孝志）
　　　　JR名古屋駅からJR中央線に乗車，JR鶴舞駅で下車（http://www.nitech.ac.jp/参照）

議題　−窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般−

2日午前

1.ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
○山路浩規，寺田雄祐，吉田治正，三宅秀人，平松和政（三重大），矢口紀恵（日立サイエンスシステムズ）

2.低転位AlGaN上の紫外発光素子
○飯田一喜，川島毅士，宮崎敦嗣，岩谷素顕，上山　智，天野浩，赤�ｱ　勇（名城大）

3.InAlGaN４元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化
○平山秀樹（理化学研究所）、秋田勝史、中村孝夫、木山誠（住友電工）、青柳克信（東工大）

4.光照射MOCVD法によるGaInNP MQW構造LEDの試作
○吉田清輝，李　江，伊東義曜（古河電工）

5.近紫外LEDの開発
○酒井浩光，安田剛規，友澤秀喜，奥山峰夫（昭和電工）

6.GaN系LEDを用いた白色LED
○千田昌伸，柴田直樹（豊田合成）

7.RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製
○川井瑞恵，大橋達男，光野徹也，菊池昭彦，岸野克巳（上智大）

2日午後

8.窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法
○瀧澤俊幸（松下電器）

9.段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化
○石田昌宏，油利正昭，上田大助（松下電器），石川博康，江川孝志（名工大）

10.レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製
○田村聡之，藤本康弘，小川雅弘，石田昌宏，上田哲三，油利正昭（松下電器）

11.（招待講演）次世代DVDと青紫色半導体レーザへの要望
○菅谷寿鴻（東芝）

12.窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
○有田宗貴，西岡政雄，荒川泰彦（東大）

13.窒化ガリウム基板上の青紫色半導体レーザ
○布上真也，斎藤真司，勝野弘，原田佳幸，橘浩一，本郷智恵，小野村正明（東芝）

14.劣化GaN系半導体レーザにおける結晶欠陥
○冨谷茂隆（ソニー），竹谷元伸，後藤修，池田昌夫（ソニー白石セミコンダクタ）

15.GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ
○伊藤茂稔，山崎幸生，川上俊之，高谷邦啓，近江晋，上田吉浩，湯浅貴之，種谷元隆（シャープ）

3日午前

16. Al0.5Ga0.5Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光特性
○安川浩範，木田喜啓，石賀　章，柴田泰宏，元垣内敦司，三宅秀人，平松和政（三重大），
大内洋一郎，只友一行（三菱電線工業），濱村　寛（ニコン），福井一俊（福井大）

17. 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
○渡邉博信，元垣内敦司，平松和政（三重大），福井一俊（福井大），濱村　寛（ニコン），只友一行（三菱電線工業）

18. MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長
○石川博康，加藤正博，青山隆史，松井慎一，Maosheng Hao，江川孝志，神保孝志（名工大）

19. 100mm径サファイア基板上への高Al組成AlGaN/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
○三好実人，坂井正宏（名工大，日本ガイシ），石川博康，江川孝志，神保孝志（名工大），
田中光宏，小田　修，勝川裕幸（日本ガイシ）

20. n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
○南條拓真，三浦成久，大石敏之，吹田宗義，阿部雄次，尾関龍夫（三菱電機），石川博康，江川孝志（名工大）

21. AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
○塩島謙次，杉谷末広，重川直輝（NTT）

22. GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性
○橋詰　保（北大）

3日午後

23. Ｓｉ基板上ＡｌＧａＮ/ＧａＮ　ＨＦＥＴの高耐圧化
○町田　修，柳原将貴，千野恵美子，岩上信一，金子信男，後藤博一，大塚康二（サンケン電気）

24. AlGaN/GaN MODFET電気特性のゲート方位依存性
○石田秀俊，村田智洋，神田敦彦，池田義人，松野年伸，廣瀬裕，上本康裕，田中　毅（松下電器）

25. Ｋａ帯３Ｗ出力ＡｌＧａＮ/ＧａＮヘテロ接合ＦＥＴ
○井上　隆，安藤裕二，中山達峰，宮本広信，岡本康宏，幡谷耕二，葛原正明（素子協）

26. 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
○見田充郎，大来英之，海部勝晶，山田朋幸，佐野芳明（沖電気），江川孝志，石川博康（名工大）

27. 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
○岡本康宏，安藤裕二，幡谷耕二，井上　隆，中山達峰，宮本広信，葛原正明（素子協）

28. フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
○齋藤　渉，高田賢治，蔵口雅彦，津田邦男，大村一郎，小倉常雄（東芝）

29. 高効率高出力GaN-HEMT
○吉川俊英，金村雅仁，原　直紀，常信和清（富士通研）

30. AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
○沖野　徹，落合　大，大野雄高，岸本　茂，前澤宏一，水谷　孝（名古屋大）


ご参加の皆様へ：
　どなた様でも御自由に参加できます．但し会場入口での記帳をお願いしています．
　参加料は無料です．事前申し込みも不要です．
　予稿集が必要な方は一日当り1500円前後（ページ数によって変動）で販売致します．
　複数日の場合，全日程の予稿が必要な方は1500円×日数分となります．
　予稿予約も不要です．