6月信学会レーザ・量子エレクトロニクス（ＬＱＥ）研究会ご案内
通信学会ED研究会、窒化物半導体国際会議（ICNS-5）共催

研究会の会場が同志社大学の京田辺から
今出川キャンパスに変更になりました。
又、日程を一日追加いたしました。

2002年6/13（木）〜15(金）に同志社大学（今出川・寧静館５Ｆ）にて
通信学会ED研究会、窒化物半導体国際会議（ICNS-5）共催と合同で
ＬＱＥ研究会を開催致します。

テーマ： 進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び、一般


サブテーマ： 結晶成長からデバイスまで

スコープ：

　窒化物半導体を材料とする光、電子デバイスの現状（特性、問題点など）に関する論文
のみならず、これらのデバイスを支えるGaN基板作製技術、結晶成長技術(MOVPE、MBE）、
プロセス技術（電極、エッチング）、及び各種設計・評価技術について幅広く論文を
ご投稿いただきました。

　又、ワイドバンドギャップのみならず、GaInNAsの長波レーザや窒素化物における
サブバンド間遷移などに関する投稿、更に、窒化物半導体デバイスを用いた
各種の応用（光ディスク、照明、医療応用等）に関する論文もデバイス開発上の課題を
明らかにする論文の投稿もいただきました。

　今回の研究会は来年開催される窒化物半導体国際会議（ICNS-5）のプレ研究会としての
側面もあります。皆様のご参加をお待ちしております。

ご投稿の皆様へ
　原稿締め切りは開催日の25日前程度です
ご参加の皆様へ：
　どなた様でも御自由に参加できます。但し会場入口での記帳をお願いしています。
　参加料は無料です。事前申し込みも不要です。
　予稿集が必要な方は一日単位で販売致します。（予約不要）
　　6月13日 2000円
　　6月14日 1500円
　　6月15日 1500円　
　
詳細はこちらをご覧下さい。





関連情報：
同志社大学　今出川キャンパス
http://www.doshisha.ac.jp/daigaku/campus/non_imade/index.html
同志社大学　交通機関
http://www.doshisha.ac.jp/daigaku/koutsuu/index.html
京都市地下鉄
http://www.city.kyoto.jp/kotsu/tikadia/tikatime.htm

研究会への申込方法、お問い合わせは東盛(幹事)までご連絡下さい。