2001年6月 プログラム

日時　6月15日(金)　9:30〜17:00
会場　機械振興会館地下３階２号室 (同会館へのアクセスはこちら)
議題　−新光学材料(青色関連,赤外関連,量子ドットなど)、結晶成長・評価、プロセス、一般−

★プログラム
−午前−[9：30]
１．有機ポリシロキサンターゲットを用いたPLD-SiO2薄膜の酸素ガス圧依存性
倉松雅章,○大越昌幸,井上成美(防衛大)

２．スペクトル干渉による超短光パルスのキャリアエンベロープ位相のシングルショット計測
藤平好彦(芝浦工大)、○欠端雅之,高田英行,小林洋平,鳥塚健二(産業技術総研)、本間哲哉,高橋英郎(芝浦工大)

３．石英ガラスのKrFレーザー照射損傷の初期過程
川口喜三（産業技術総研）

４．高濃度NdドープYAG結晶
浦田佳治(メガオプト)、和田智之(理研)

５． Nd:YAGセラミックスレーザーの開発
上松知宏,村井朋代,高市和則,盧建仁(電通大)、八木秀喜,柳谷高公(神島化学)、植田憲一(電通大)

６． P-doped fiberを使ったラマン増幅器用光源の開発と超広帯域白色光の発生
谷口篤、Mahendra Prabhu, 金南成、植田憲一(電通大)

−午後− ［13:00］
７．波形整形器を用いた非線形ファイバー光子数スクイージングおよび量子相関の最適化制御
藤島 大輔(慶大)、武岡 正裕(通総研)、神成 文彦(慶大)、

８． MOMBE成長したInGaAsP膜の組成変調構造におよぼす成長速度の影響
小笠原松幸（NTT）

９．自己組織化InAs量子ドット中の電子状態と光イオン化過程
○藤本真一、李承雄、広谷仁寿、Ph. Lelong、平川一彦(東大)

−小特集 窒化物・青色光半導体−[14:20]
１０．窒化物半導体量子ドットの形成とレーザへの応用
○橘　浩一、染谷隆夫、荒川泰彦(東大)

１１．希土類ドープGaNの成長と発光特性
Bang Hyung Jin、森嶋進一、秋本克洋 (筑波大)

１２． GaNP SQWを用いた青色ＬＥＤ
○吉田清輝、伊東義曜、城川潤二郎(古河電工)

１３．GaN系面発光レーザ用GaN/Al0.6Ga0.4N多層膜反射鏡の作製
○中田尚幸、石川博康、江川孝志、神保孝志、梅野正義(名工大)

１４．選択成長を用いたn-GaN基板上InGaN MQW リッジ型LDの試作
○倉本　大、木村明隆、笹岡千秋、荒木田孝博、仁道正明、水田正志(NEC)

１５． AlGaInN系高出力半導体レーザ
○竹谷元伸、東條　剛、浅野竹春, 日野智公、喜嶋　悟、後藤　修、内田史朗、池田昌夫(ソニー白石)

◆レーザ学会東京支部共催