LQE - LQE award

―電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティレーザ量子エレクトロニクス研究会奨励賞―

電子情報通信学会　エレクトロニクスソサイエティ
　レーザ量子エレクトロニクス研究会

　2006年度より，電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティレーザ量子エレクトロニクス研究会（以下LQE研究会）は，LQE研究会の活性化と本分野の若手研究者の育成を目的に，LQE研究会に投稿し自ら講演を行った若手研究者を対象として，優秀な論文に対してLQE研究会独自に表彰する奨励賞を設けます．
　LQE分野の国内外の多数の若手研究者の方々からの御投稿をお待ちしております．

■　LQE奨励賞概要

名称	「電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティレーザ量子エレクトロニクス研究会奨励賞」（IEICE Electronics Society LQE Young Researchers Award）
対象	毎年5月開催の研究会から翌年1月開催の研究会に投稿された論文を対象とし，他研究会との共催や併催の研究会の場合，LQE研究会として投稿された論文を対象とします．なお受賞は一回限り．
対象者	年度を通じて開催されるLQE研究会（共催も含む）において，自ら投稿・講演を行った若手研究者．（当該年度の4月1日時点で32歳以下）
選考方法	LQE研究専門委員により採点
表彰	次年度に表彰式とともに招待講演を行っていただきます．表彰式では，賞状，および副賞賞金￥３０，０００を贈呈します．

■　LQE奨励賞　内規詳細

■　歴代受賞者リスト

年度	受賞論文名	受賞者（所属）
2014年度（第9回）	量子井戸とフォトニック結晶に基づく高効率・高速熱輻射光源の開発	井上卓也（京都大学大学院　工学研究科）
2014年度（第9回）	GaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作	中尾亮（日本電信電話(株)　NTT先端集積デバイス研究所）
2013年度（第8回）	微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタの検討	野崎謙悟（日本電信電話株式会社 NTTナノフォトニクスセンター））
2013年度（第8回）	マイクロマシンを用いたアサーマル面発光レーザの波長掃引特性	中濱正統（東京工業大学　精密工学研究所）
2012年度（第7回）	不等間隔アレイ型波長チューナブルLDの背面出射光を用いた波長モニタ	望月敬太（三菱電機株式会社情報技術総合研究所）
2012年度（第7回）	GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化	進藤隆彦（東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター）
2011年度（第6回）	フォトニック結晶レーザによる長焦点深度・微小集光の生成	北村恭子（京都大学大学院工学研究科）
2011年度（第6回）	半導体直接融着によるSi基板上1.3 μm InAs/GaAs量子ドットレーザ	田辺克明（東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構）
2010年度（第5回）	All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers	Chin-Hui CHEN （日本電信電話（株） NTTフォトニクス研究所）
2010年度（第5回）	光励起によるGaAs_1-xBi_x/GaAs 薄膜のファブリ・ペローレーザ発振－その発振波長の低温度依存性－	富永依里子（京都工芸繊維大学大学院電子システム工学部門）
2009年度（第4回）	低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ	植竹理人（光協会／富士通／富士通研）
2009年度（第4回）	超高速広帯域波長可変・超短パルス光源（擬似SC光源）の開発とOCTへの応用	住村和彦（阪大）
2008年度（第3回）	間接注入励起を用いた量子カスケードレーザ	藤田和上（浜松ホトニクス㈱中央研究所）
2007年度（第2回）	半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ	瀬川徹（日本電信電話㈱ NTTフォトニクス研究所）
2006年度（第1回）	超低閾値ナノ共振器レーザ	野村政宏（東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構）

年度	受賞論文名	受賞者（所属）
2014年度（第9回）	量子井戸とフォトニック結晶に基づく高効率・高速熱輻射光源の開発	井上卓也（京都大学大学院　工学研究科）
2014年度（第9回）	GaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作	中尾亮（日本電信電話(株)　NTT先端集積デバイス研究所）
2013年度（第8回）	微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタの検討	野崎謙悟（日本電信電話株式会社 NTTナノフォトニクスセンター））
2013年度（第8回）	マイクロマシンを用いたアサーマル面発光レーザの波長掃引特性	中濱正統（東京工業大学　精密工学研究所）
2012年度（第7回）	不等間隔アレイ型波長チューナブルLDの背面出射光を用いた波長モニタ	望月敬太（三菱電機株式会社情報技術総合研究所）
2012年度（第7回）	GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化	進藤隆彦（東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター）
2011年度（第6回）	フォトニック結晶レーザによる長焦点深度・微小集光の生成	北村恭子（京都大学大学院工学研究科）
2011年度（第6回）	半導体直接融着によるSi基板上1.3 μm InAs/GaAs量子ドットレーザ	田辺克明（東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構）
2010年度（第5回）	All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers	Chin-Hui CHEN （日本電信電話（株） NTTフォトニクス研究所）
2010年度（第5回）	光励起によるGaAs_1-xBi_x/GaAs 薄膜のファブリ・ペローレーザ発振－その発振波長の低温度依存性－	富永依里子（京都工芸繊維大学大学院電子システム工学部門）
2009年度（第4回）	低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ	植竹理人（光協会／富士通／富士通研）
2009年度（第4回）	超高速広帯域波長可変・超短パルス光源（擬似SC光源）の開発とOCTへの応用	住村和彦（阪大）
2008年度（第3回）	間接注入励起を用いた量子カスケードレーザ	藤田和上（浜松ホトニクス㈱中央研究所）
2007年度（第2回）	半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ	瀬川徹（日本電信電話㈱ NTTフォトニクス研究所）
2006年度（第1回）	超低閾値ナノ共振器レーザ	野村政宏（東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構）