日時 2008年10月30日(木) 13:00 - 16:10
2008年10月31日(金) 09:00 - 12:10
議題 薄膜プロセス・材料、一般 
会場名 新潟大学自然科学研究科管理棟2階大会議室 
住所 〒950-2181 新潟市西区五十嵐2の町8050
交通案内 JR内野駅から徒歩約15分
http://www.eng.niigata-u.ac.jp/access/index.html
会場世話人
連絡先
工学部電気電子工学科 清水英彦
025-262-6811

10月30日(木) 午後 
13:00 - 16:10
(1) 13:00-13:25 反応性スパッタ法によるCuInS2薄膜の作製と評価 山口拓也坪井 望新潟大)・大石耕一郎長岡高専)・小林敏志金子双男新潟大
(2) 13:25-13:50 パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長 小前泰彰齋藤 健長岡技科大)・末光眞希東北大学電通研)・遠藤哲郎東北大学学際研)・伊藤 隆東北大学電通研)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・高田雅介赤羽正志安井寛治長岡技科大
(3) 13:50-14:15 ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性 須藤晴紀黒田朋義加藤有行西山 洋井上泰宣赤羽正志高田雅介安井寛治長岡技科大
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(4) 14:30-14:55 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープ 牧野雄一郎大島 穣長岡技科大)・片桐裕則新保和夫長岡高専)・黒木雄一郎安井寛治高田雅介赤羽正志長岡技科大
(5) 14:55-15:20 SBD法を用いたAZO薄膜作製における特性の検討 本間拓也佐藤 薫下村健晴邵 力捷清水英彦岩野春男新大)・星 陽一東京工芸大
(6) 15:20-15:45 アゾベンゼン分子薄膜の近接場光加工とサブミクロン物質の配列制御 木村浩章大平泰生新保一成馬場 暁加藤景三金子双男新大
(7) 15:45-16:10 細管内金属ワイヤ電極を用いたエレクトロスピニング法による高分子ファイバーの作製 新保一成星野力哉小野塚信太郎大平泰生馬場 暁加藤景三金子双男新潟大
10月31日(金) 午後 
09:00 - 12:10
(8) 09:00-09:25 Al下地膜上へのSrAl2O4薄膜の剥離抑制の検討 張 鋒纐纈正和清水英彦岩野春男川上貴浩新大
(9) 09:25-09:50 Mg膜とNi膜の膜厚比を変化させたMg-Ni薄膜の光学的特性 平田 真岡田智弘清水英彦岩野春男川上貴浩新大
(10) 09:50-10:15 Arイオン衝撃によるITO薄膜への効果の検討 高橋沙季二木雅斗中村陽平清水英彦岩野春男福嶋康夫永田向太郎新大)・星 陽一工芸大
  10:15-10:30 休憩 ( 15分 )
(11) 10:30-10:55 電気磁気効果発現を目指したCr2O3スパッタ薄膜作製 大月俊平岩田展幸山本 寛日大
(12) 10:55-11:20 針状フラーレン凝集体合成プロセスの開発 境 恵二郎東京理科大)・石塚大祐飯尾靖也栗原浩平園村拓也日大)・内田勝美矢島博文東京理科大)・岩田 展幸・○山本 寛日大
(13) 11:20-11:45 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源 斉藤裕史山上朋彦林部林平上村喜一信州大
(14) 11:45-12:10 反応性高速スパッタ法により作製したTiO2薄膜の構造と光触媒特性 星 陽一石原太樹境 哲也雷 浩工芸大)・清水英彦新大

講演時間
一般講演(25) 発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 清水英彦(新潟大学)
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E-: mizuengiga-u

竹村 泰司(横浜国立大学)
TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151
E-: muray 

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