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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-23 11:25 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | 波長掃引光源と回折格子を用いた光偏向技術の高精度化のための光偏向器パラメタ測定方法 ○上野雅浩・赤毛勇一・岡 宗一（NTT）  R2019-32 EMD2019-30 CPM2019-31 OPE2019-59 LQE2019-37 |
自動車や工事現場等での応用に向けて、可動部がないために振動に強いという特徴のある、波長掃引方式LiDARが注目を集めてい... [more] | R2019-32 EMD2019-30 CPM2019-31 OPE2019-59 LQE2019-37 pp.61-66 |
| EMCJ | 2019-04-11 14:20 |
沖縄 | 沖縄産業支援センター | ノイズ源等価回路モデルを用いたDC/DCコンバータにおける伝導妨害波電圧の予測精度向上に向けた検討 ○上松大志・大崎悠平・矢野佑典・五百旗頭健吾・豊田啓孝（岡山大） EMCJ2019-4 |
我々は伝導妨害波電圧の予測を行うためのノイズ源等価回路モデルを降圧型DC/DCコンバータへ適用を試みている．予測精度の高... [more] | EMCJ2019-4 pp.17-22 |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 09:45 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | シリコン基板上への16ch(4chx4)集積レーザアレイ光源の実装 ○西沢元亨・羽鳥伸明・田中 有・栗原 充・蔵田和彦（光電子融合基盤技研） R2016-20 EMD2016-24 CPM2016-33 OPE2016-54 LQE2016-29 |
将来の高性能サーバやスパコンへ適用する、Siフォトニクス技術を利用した広帯域な光I/Oの実現へ向けて、Siチップ上への集... [more] | R2016-20 EMD2016-24 CPM2016-33 OPE2016-54 LQE2016-29 pp.5-8 |
| EE | 2016-01-28 15:00 |
福岡 | 久留米ホテル エスプリ | 等価電源モデルを用いたLLC電流共振形コンバータの小信号解析 佐藤輝被・○村上裕亮（大分大） EE2015-9 |
本稿では，スイッチ素子をその平均電流・電圧で表し(等価電源モデルと呼ぶ)動作点近傍での微小変動を考慮することにより,LL... [more] | EE2015-9 pp.1-6 |
| ED | 2016-01-20 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術 ○中原 健・近松健太郎・山口敦司・黒田尚孝（ローム） ED2015-115 |
窒化ガリウムパワーデバイスは、ON抵抗(Ron)とゲート電荷(Qg)の積RonQgで表すFigure of Meritが... [more] | ED2015-115 pp.19-24 |
| SDM | 2015-06-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2015-48 |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] | SDM2015-48 pp.51-55 |
| SDM | 2013-12-13 13:50 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発 ○部家 彰・草壁 史・丸山裕樹・松尾直人・神田一浩（兵庫県立大）・野口 隆（琉球大） SDM2013-127 |
10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性化について検討した。... [more] | SDM2013-127 pp.67-72 |
| SDM | 2013-06-18 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化 ○山本圭介・佐田隆宏・王 冬・中島 寛（九大） SDM2013-49 |
高性能GeチャネルCMOS実現には、寄生抵抗を極限まで低減したメタル・ソース/ドレイン（S/D）の導入が望ましい。我々は... [more] | SDM2013-49 pp.29-32 |
| SDM | 2011-11-11 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性 ○廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大） SDM2011-128 |
極微細MOSFETのドレイン電流解析モデルにおいて，飽和ドレイン電流の特性を決定するチャネル長変調係数は，ディジタル回路... [more] | SDM2011-128 pp.75-80 |
| SDM | 2011-11-11 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果 ○尹 鍾鐵・廣木 彰（京都工繊大） SDM2011-129 |
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果を調べた。寄生抵抗の高次の効果を含む飽和ドレイン電流を導出... [more] | SDM2011-129 pp.81-85 |
| EMCJ | 2011-01-28 16:05 |
熊本 | 熊本高等専門学校 熊本キャンパス | プリント配線板電源層からの放射雑音低減方法の検討 ～ 付加抵抗値の影響 ～ ○高倉一旨・佐々木伸一（佐賀大） EMCJ2010-117 |
[more] | EMCJ2010-117 pp.103-108 |
| US | 2008-12-19 15:30 |
神奈川 | 東京工業大学（すずかけ台キャンパスＧ４棟２Ｆ中会議室） | 2枚の円形たわみ振動板を持つ点集束空中超音波音源の検討 ○鈴木和浩・伊藤洋一（日大） US2008-70 |
すでに開発している円形たわみ振動板を用いた点集束型空中超音波音源(20kHz)の小型化について検討している。すなわち、こ... [more] | US2008-70 pp.19-24 |
| MW, ED (共催) |
2005-11-17 13:35 |
佐賀 | 佐賀大学 | 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器 ○西嶋将明・村田智洋・廣瀬 裕・引田正洋・根来 昇・酒井啓之・上本康裕・井上 薫・田中 毅・上田大助（松下電器） |
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] | ED2005-165 MW2005-120 pp.39-43 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 13:50 |
北海道 | 函館国際ホテル | LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ）・ドレイン解析用テスト構造 ○大曽根隆志（岡山県立大）・松田敏弘（富山県立大）・岡田和彦・森下賢幸・小椋清孝（岡山県立大）・岩田栄之（富山県立大） |
LDD構造CMOSFETの（高ドープ/低ドープ）・ドレインの電気的特性を分離して解析するために，種々のゲート間隔Ｓを有す... [more] | SDM2005-137 ICD2005-76 pp.55-60 |
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