| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2019-08-09 11:15 |
茨城 | 産業技術総合研究所 | 微小Josephson接合列の輻射検出器としての利用性の評価 ○鈴木俊貴・カニョロ ゴドゥウィリ ビティ・西垣宏志・水柿義直・島田 宏（電通大）  SCE2019-11 |
微小Josephson接合列においてはその特有の電気伝導特性としてCoulomb閉塞が生じるが，マイクロ波を照射するとC... [more] | SCE2019-11 pp.15-19 |
| NLP | 2016-12-13 10:55 |
愛知 | 中京大学 | 光電効果と電子波動周波数弁別を用いる通信系のための単電子復号回路 節家 淳・佐藤仁哉・○藤坂尚登・神尾武司（広島市大） NLP2016-96 |
テラヘルツ帯域のセンシングや通信のためのフロントエンド受信部に小型化や低電力化を求めて，量子力学的現象を応用することが検... [more] | NLP2016-96 pp.67-72 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-06 11:05 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | グラフェン単キャリアトランジスタの作製と特性評価 ○岩崎拓哉・ムルガナタン マノハラン・水田 博（北陸先端大） ED2014-150 SDM2014-159 |
単一量子ドット(QD)を持つグラフェン単キャリアトランジスタ(SCT)を作製し, 単キャリア輸送特性の評価・解析を行った... [more] | ED2014-150 SDM2014-159 pp.69-73 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 09:50 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振 ○水柿義直（電通大） ED2012-139 SDM2012-168 |
単一電子トランジスタでは，微小トンネル接合での単一電子トンネリングにより，島電極上の電荷が離散的に変化する．また，超伝導... [more] | ED2012-139 SDM2012-168 pp.59-64 |
| NLP, CAS (共催) |
2012-09-21 14:50 |
高知 | 高知県立大学 永国寺キャンパス | 単電子リングオシレータ結合回路網の同相化の検討 ○野田遥華・永田啓介・藤坂尚登・神尾武司・生岩量久（広島市大） CAS2012-46 NLP2012-72 |
単電子トランジスタを用いて構成したリングオシレータは電子のトンネリングが確率的であるため非常に大きな位相雑音を持つ. 本... [more] | CAS2012-46 NLP2012-72 pp.87-91 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 14:35 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | KFM observation of individual dopant potentials and electron charging ○Roland Nowak・Miftahul Anwar・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2011-144 SDM2011-161 |
We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure su... [more] | ED2011-144 SDM2011-161 pp.13-18 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 09:55 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御 ○伊藤光樹・秋元俊介・白樫淳一（東京農工大） ED2011-151 SDM2011-168 |
我々は，直列に接続された複数のナノギャップに対して，電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション（アクティベーション）を... [more] | ED2011-151 SDM2011-168 pp.53-58 |
| NLP | 2011-05-26 13:50 |
香川 | 小豆島オリーブ公園オリーブ記念館大研修室 | 全結合および最近接結合単電子リングオシレータの解析 ○石田雅和・永田啓介・藤坂尚登・神尾武司・生岩量久（広島市大） NLP2011-3 |
単電子トランジスタを用いてリングオシレータを構成したとき，単独ではトンネリングが確率的であるた め位相雑音が非常に大き... [more] |
NLP2011-3 pp.9-14 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 11:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2010-204 SDM2010-239 |
あらまし 私たちは連続光照射がSOI電界効果トランジスタ(SOI-FETs)における量子ドットを介した単電子輸送に与え... [more] | ED2010-204 SDM2010-239 pp.67-72 |
| NLP, CAS (共催) |
2010-08-03 10:30 |
徳島 | 鳴門教育大学 | 単電子リングオシレータの結合による位相雑音の低減 ○石田雅和・藤坂尚登・神尾武司・生岩量久（広島市大） CAS2010-58 NLP2010-74 |
単電子トランジスタにより構成されたリングオシレータは電子の確率的トンネリング動作により非常に大きな位相雑音を持つ． 本... [more] |
CAS2010-58 NLP2010-74 pp.135-140 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:45 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 |
シリコン基板上に作製可能な単電子冷却デバイスを提案し，その単電子トンネル動作について理論的評価を行った．その構造は，単電... [more] | ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 14:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析 ○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔（北大） ED2009-199 SDM2009-196 |
量子ドットの単電子充放電プロセスにおける確率共鳴的挙動を理論的に解析した．確率共鳴とはゆらぎによって系の応答が高まる現象... [more] | ED2009-199 SDM2009-196 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 16:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測 ○田村伸行・菊池健人・守屋雅隆・小林忠行・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2009-204 SDM2009-201 |
我々は，強磁性体(FM)のリード電極を持つ単一電子トランジスタ(SET)の磁気抵抗比($MRR$)に関する報告を行う． ... [more] |
ED2009-204 SDM2009-201 pp.47-52 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 17:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Recessed Channel Dual Gate Single Electron Transistors (RCDG-SETs) for Room Temperature Operation ○Sang Hyuk Park・Sangwoo Kang・Dong-Seup Lee・Jung Han Lee・Hong-Seon Yang・Kwon-Chil Kang・Joung-Eob Lee・Jong Duk Lee・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2008-53 SDM2008-72 |
A Recessed-Channel Dual-Gate Single Electron Transistor (RCD... [more] | ED2008-53 SDM2008-72 pp.73-76 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-30 14:45 |
北海道 | 北海道大学 | Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer ○Daniel Moraru・Daisuke Nagata・Kiyohito Yokoi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2007-240 SDM2007-251 |
Randomly distributed dopants in the channel of silicon-on-in... [more] | ED2007-240 SDM2007-251 pp.17-22 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］Si single-electron FETs for single-photon detection ○Michiharu Tabe・Ratno Nuryadi・Zainal Burhanudin（Shizuoka Univ.） |
我々は、Ｓｉデバイスのブレークスルーにとって、３つの要素が重要と考えて研究を進めている。すなわち、単電子の転送制御、単一... [more] | |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-02 13:00 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流 大倉健作・北出哲也・○中島安理（広島大） |
単電子トランジスタ(SET)は超低消費電力を実現する次世代のデバイスとして期待されている。特にSi SETは現在までに蓄... [more] | ED2006-254 SDM2006-242 pp.79-82 |
| ED, SDM (共催) |
2006-01-27 10:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 大会議室 | 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析 ○葛西誠也・湯元美樹・長谷川英機（北大） |
量子ナノ集積論理回路であるナノプロセッサの低消費電力演算特性を明らかにするために，GaAs系ショットキーラップゲート(W... [more] | ED2005-234 SDM2005-246 pp.15-20 |
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