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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| IMQ | 2021-10-22 14:10 |
大阪 | 阪大吹田キャンパス | Conditional GANによる結晶方位情報を埋め込んだ光学イメージから蛍光イメージへの変換 ～ 光学イメージ群の選択に関する検討 ～ ○工藤博章・小島拓人（名大）・沓掛健太朗（理研）・松本哲也・宇佐美徳隆（名大）  IMQ2021-8 |
多結晶シリコンウェハに対して，入射光の方位を変えると粒の結晶方位に応じた反射光の変化を見ることができる．これらの結晶方位... [more] | IMQ2021-8 pp.8-11 |
| IMQ | 2021-05-28 09:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 自己教師あり学習によるグレースケール画像を用いた特徴表現学習 ○鷲見優一郎・小島拓人（名大）・沓掛健太朗（理研）・松本哲也・工藤博章（名大）・竹内義則（大同大）・宇佐美徳隆（名大） IMQ2021-1 |
住宅用太陽光発電システムとして最も使われている多結晶シリコン太陽電池は，転位クラスターの発生による性能低下領域を含んでい... [more] | IMQ2021-1 pp.1-4 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 ○伊庭由季乃・正直花奈子・窪谷茂幸・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大） ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 |
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート（FFA Sp-AlN）に周期300 nmと深さ12... [more] | ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 pp.91-94 |
| IMQ, IE, MVE (共催) CQ (併催) [詳細] |
2019-03-15 14:25 |
鹿児島 | 鹿児島大学 郡元キャンパス | 畳み込みニューラルネットワークの転移学習による多結晶シリコンPL像中の転位領域の推定 ○工藤博章・松本哲也（名大）・沓掛健太朗（理研）・宇佐美徳隆（名大） IMQ2018-69 IE2018-153 MVE2018-100 |
本報告では，多結晶シリコンウェハのPL像に対して，ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を... [more] | IMQ2018-69 IE2018-153 MVE2018-100 pp.257-262 |
| IMQ | 2018-10-19 15:05 |
京都 | 京都工芸繊維大学 | 多層パーセプトロンによる多結晶シリコンPL像中の転位領域の推定における次元数に関する検討 ○工藤博章・松本哲也（名大）・沓掛健太朗（理研）・宇佐美徳隆（名大） IMQ2018-14 |
多結晶シリコンウェハのPL像に対して，ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を行った．多層... [more] | IMQ2018-14 pp.19-24 |
| CPM | 2018-03-01 15:45 |
東京 | 東京工科大学 | 結晶作製実験をふりかえって ○高野 泰（静岡大） CPM2017-123 |
25 年間 III-V 族化合物半導体結晶の作製法を探究した。基板と格子定数が異なる層を結晶成長させることに従事した。... [more] | CPM2017-123 pp.31-32 |
| IMQ | 2017-12-15 14:20 |
静岡 | 静岡大学浜松キャンパス | 多結晶シリコンPL像中の転位領域の非負値行列因子分解による推定 ○工藤博章・羽山優介・松本哲也・沓掛健太朗・宇佐美徳隆（名大） IMQ2017-22 |
多結晶シリコンウェハのPL像に対して，ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を行った．非負... [more] | IMQ2017-22 pp.13-18 |
| LQE | 2017-12-15 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs Hideki Hirayama・○Masafumi Jo・Noritoshi Maeda（RIKEN）・Yukio Kashima（Marubun） LQE2017-91 |
[more] | LQE2017-91 pp.21-26 |
| IMQ | 2017-10-06 16:15 |
兵庫 | 神戸大学 | 多結晶シリコンPL像中の転位領域のスパースコーディングによる推定に関する検討 ○工藤博章・羽山優介・松本哲也（名大）・沓掛健太朗（東北大）・宇佐美徳隆（名大） IMQ2017-19 |
近年，多結晶シリコンウェハの組織制御が着目されている．本報告では多結晶シリコンウェハのPL像を用い，転位を含んだ領域を特... [more] | IMQ2017-19 pp.29-34 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研） ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 pp.1-4 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 14:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減 ○榎薗太郎・木本恒暢・須田 淳（京大） EID2016-22 SDM2016-103 |
電気化学エッチングは、p型SiCのみをエッチングする手法である。電解液/SiC界面においてSiCが正孔により酸化され、生... [more] | EID2016-22 SDM2016-103 pp.59-62 |
| ED | 2014-08-01 11:45 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 ○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大） ED2014-55 |
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため，量子補正モンテカ ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more] |
ED2014-55 pp.13-18 |
| OME, EMD, CPM (共催) |
2014-06-20 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布 ○中村友紀・石塚侑己・山口直也・玉山泰宏・安井寛治（長岡技科大） EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エ... [more] | EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24 pp.43-48 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 10:50 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 ○石原耕史・近藤保成・松原大幸・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 |
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] | ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 pp.1-6 |
| CPM | 2013-08-02 10:00 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてa面サファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造 山口直也・竹内智彦・中村友紀・大橋優樹・永富瑛智・玉山泰宏・○安井寛治（長岡技科大） CPM2013-49 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高温のH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エネルギ... [more] | CPM2013-49 pp.51-56 |
| SDM | 2013-06-18 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 ○先﨑純寿・下里 淳・田中保宣・奥村 元（産総研） SDM2013-60 |
超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため，SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である．我々はSi... [more] | SDM2013-60 pp.81-86 |
| SDM | 2012-12-07 10:15 |
京都 | 京都大学(桂) | 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング ○畑山智亮・堀 良太・田村哲也・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-116 |
900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッ... [more] | SDM2012-116 pp.7-12 |
| SDM | 2012-06-21 09:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価 ○淺田遼太・Pham Phu Thanh Son・Kokate Nishad Vasant・吉川 純・竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） SDM2012-44 |
新規不揮発性メモリの一つとして、金属/絶縁体/金属構造の抵抗変化型メモリが注目されている。我々はSrTiO3(001)基... [more] | SDM2012-44 pp.7-12 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 ○野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・龍 祐樹・桑原崇彰・桑野範之（九大） ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 |
高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である. 本研究ではエッチピット... [more] | ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 pp.11-14 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 12:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現 ○藤倉序章・大島祐一・吉田丈洋・目黒 健・斉藤俊也（日立電線） ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100 |
我々の開発したボイド形成剥離法（Void-Assisted Separation; VAS法）において、GaN自立基板成... [more] | ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100 pp.19-24 |
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