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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-11-08 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション ○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大）  SDM2019-77 |
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の３次元TCADシ... [more] | SDM2019-77 pp.45-48 |
| SDM | 2019-01-29 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響 ○太田裕之・池上 努・福田浩一・服部淳一・浅井栄大・遠藤和彦・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-81 |
本研究では，マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] | SDM2018-81 pp.1-4 |
| VLD, HWS (併催) |
2018-02-28 17:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | FDSOIに適したスタック構造におけるソフトエラー対策手法の提案・評価と微細化による影響の評価 ○丸岡晴喜・山田晃大・榎原光則・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2017-103 |
トランジスタサイズの微細化に伴い、ソフトエラーにより集積回路の信頼性が低下している。本稿では65 nm FDSOI プロ... [more] | VLD2017-103 pp.85-90 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 14:15 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | TCADシミュレーションを用いたFDSOIプロセスの耐ソフトエラー回路構造の検討 ○山田晃大・丸岡晴喜・梅原成宏・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2016-49 DC2016-43 |
集積回路はムーアの法則に従って微細化してきたが，それに伴いソフトエラーに よる信頼性の低下が問題となっている．既にソ... [more] |
VLD2016-49 DC2016-43 pp.31-36 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 14:40 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | PHITS-TCADシミュレーションによるFinFETとFDSOIのソフトエラー耐性の評価 ○梅原成宏・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2016-50 DC2016-44 |
集積回路の微細化に伴い，ソフトエラーによる信頼性の低下が問題となっている．近年，SOIやFinFETのような従来と異なる... [more] | VLD2016-50 DC2016-44 pp.37-41 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析 ○竹田 裕（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・羽根正巳（NEC） VLD2007-58 SDM2007-202 |
高移動度デバイスとして期待の高いGe デバイスの輸送特性の解析を行った．フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーショ... [more] | VLD2007-58 SDM2007-202 pp.37-41 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善 ○金村貴永・泉田貴士・青木伸俊・近藤正樹・伊藤早苗・遠田利之・岡野王俊・川崎博久・八木下淳史・金子明生・稲葉 聡・中村光利・石丸一成・須黒恭一・江口和弘（東芝） |
3次元プロセス/デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。チャネル... [more] | VLD2006-43 SDM2006-164 pp.25-29 |
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