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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 11:30 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較 ○山田晃大・古田 潤・小林和淑（京都工繊大）  SDM2018-28 ICD2018-15 |
集積回路素子の微細化に伴いソフトエラーによる集積回路の信頼性低下が問題となっている．本研究では，65nm FDSOI (... [more] | SDM2018-28 ICD2018-15 pp.15-20 |
| VLD, HWS (併催) |
2018-02-28 17:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | FDSOIに適したスタック構造におけるソフトエラー対策手法の提案・評価と微細化による影響の評価 ○丸岡晴喜・山田晃大・榎原光則・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2017-103 |
トランジスタサイズの微細化に伴い、ソフトエラーにより集積回路の信頼性が低下している。本稿では65 nm FDSOI プロ... [more] | VLD2017-103 pp.85-90 |
| VLD, HWS (併催) |
2018-02-28 17:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 65 nm FDSOIプロセスのトランジスタモデルの違いによるフリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価 ○榎原光則・丸岡晴喜・山田晃大・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2017-104 |
ムーアの法則に従い, 集積回路 (LSI)が微細化することで, PCやスマートフォン といった高性能な製品を作れるよう... [more] |
VLD2017-104 pp.91-96 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 15:05 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 重イオン照射測定によるFDSOIにおけるFFのソフトエラー耐性の評価 ○一二三 潤・梅原成宏・丸岡晴喜・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2016-51 DC2016-45 |
微細プロセスではレイアウト構造を変更することで様々な影響が及ぶ．本研究では 28 nm と 65 nm の FDSOI ... [more] | VLD2016-51 DC2016-45 pp.43-48 |
| ICD, CPSY (共催) |
2015-12-18 09:00 |
京都 | 京都工芸繊維大学 | 65nmバルクとThin BOX FD-SOIプロセスにおける冗長化フリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価 ○曽根崎詠二・久保田勘人・増田政基・神田翔平・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） ICD2015-83 CPSY2015-96 |
集積回路の微細化に伴って、ソフトエラーにより信頼性の低下が顕在化している。ソフトエラーの対策技術としてTMRFFのような... [more] | ICD2015-83 CPSY2015-96 pp.69-74 |
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