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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EST, MW, EMT, OPE, MWPTHz (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2023-07-20 11:25 |
北海道 | 室蘭工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
伝熱シミュレーションを用いた相変化材料高周波デバイスの検討 ○佐藤 拓・山下晃司・岡部秀之・君島正幸（アドバンテスト研）  EMT2023-14 MW2023-32 OPE2023-14 EST2023-14 MWPTHz2023-10 |
相変化材料高周波スイッチデバイスのON-OFF切り替えは, 100~ns～1~$mu$s程度のパルスヒータ制御による加... [more] |
EMT2023-14 MW2023-32 OPE2023-14 EST2023-14 MWPTHz2023-10 pp.27-31 |
| SDM | 2023-01-30 15:25 |
東京 | 機械振興会館（B3-1） | ［招待講演］Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ ○宮武悠人（東大）・牧野孝太郎・富永淳二・宮田典幸・中野隆志・岡野 誠（産総研）・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹中 充（東大） SDM2022-83 |
相変化材料に基づく光位相シフタは, シリコンフォトニクスプラットフォームにおいて中赤外領域で動作する量子光回路の有望な構... [more] | SDM2022-83 pp.17-20 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2022-12-08 15:55 |
愛媛 | 愛媛大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
CoFeB/Sb2Te3の相制御による磁気緩和定数の増大 ○諸田美砂子・齊藤雄太・畑山祥吾・内田紀行（産総研） MRIS2022-23 |
Sb_2Te_3やBi_2Te_3などのカルコゲナイド材料は、結晶とアモルファスの相の違いにより抵抗率が変化する相変化材... [more] | MRIS2022-23 pp.28-31 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 15:35 |
ONLINE | オンライン開催 | Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ ○赤根詩穂里（龍谷大）・堀内 功（KOA）・木村 睦（龍谷大） EID2020-13 SDM2020-47 |
我々は「Cu2GeTe3:銅・ゲルマニウム・テルル(CGT)」を用いた相変化メモリ（PCRAM）についての研究を行なって... [more] | EID2020-13 SDM2020-47 pp.50-53 |
| SDM | 2018-10-17 16:35 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ ○畑山祥吾・須藤祐司・安藤大輔・小池淳一（東北大） SDM2018-56 |
相変化メモリは次世代型の不揮発性メモリとして注目されている. 現在, 実用化されている相変化材料はGe-Sb-Te化合物... [more] | SDM2018-56 pp.21-26 |
| CCS | 2017-03-10 11:30 |
東京 | 東京工業大学・地球生命研究所 | ［招待講演］ナノ光学と流体工学を基盤とした自然知能の物理実装 ○斎木敏治（慶大） CCS2016-48 |
われわれは相変化材料を基盤とし、ナノ粒子系の空間コヒーレンスや流体系が包含する多彩な相互作用とゆらぎを活用したコンピュー... [more] | CCS2016-48 pp.19-24 |
| MRIS, IEE-MAG (連催) |
2017-03-10 15:10 |
愛知 | 名古屋大学 | GeSbTe-Siマイクロ共振器を用いた2次元情報符号化素子の提案と動作実証 ○木原雄也・中村政輝・ソビ ファラビ・片岩大智（慶大）・桑原正史（産総研）・斎木敏治（慶大） MR2016-63 |
近年、インターネットやSNSの発展に伴い、情報量が年々膨大に増加している。その対策として情報保存量の増加のみでなく、情報... [more] | MR2016-63 pp.35-40 |
| MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG (連催) |
2016-03-04 13:35 |
愛知 | 名古屋大学 | レーザパルス光照射によるGeTe結晶相/アモルファス相周期構造形成機構の解明 ○森本悠介・秋本良太（慶大）・桑原正史（産総研）・斎木敏治（慶大） MR2015-35 |
書き換え型光ディスクなどに用いられている相変化材料の一種であるGeTeにレーザパルスを照射し結晶相からアモルファス相へ相... [more] | MR2015-35 pp.33-36 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 15:30 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | 相変化材料とSi細線導波路を用いた超小型光スイッチの動作特性 ○森山巧巳（慶大）・河島 整・桑原正史・王 暁民（産総研）・津田裕之（慶大） PN2013-79 OPE2013-193 LQE2013-179 EST2013-128 MWP2013-99 |
近年のインターネットトラフィック量の増加により，光ネットワークノードに高性能な光スイッチが求められている．そこで，相変化... [more] | PN2013-79 OPE2013-193 LQE2013-179 EST2013-128 MWP2013-99 pp.287-292 |
| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-27 14:05 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ | 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作 ○田中大輝・伊熊雄一郎（慶大）・庄司雄哉・桑原正史・王 暁民・金高健二・河島 整（産総研）・豊崎達也・津田裕之（慶大） EMD2010-53 CPM2010-69 OPE2010-78 LQE2010-51 |
膜厚が1 µmと20 nmの相変化材料（Ge2Sb2Te5）薄膜を有する光ゲートスイッチを設計・試作し，光パ... [more] | EMD2010-53 CPM2010-69 OPE2010-78 LQE2010-51 pp.127-130 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 11:20 |
宮城 | 東北大学 | Si導波路と相変化材料を用いた小型の自己保持型2x2光スイッチ ○伊熊雄一郎（慶大）・河島 整・金高健二（産総研）・斎木敏治・津田裕之（慶大） EMD2009-31 CPM2009-55 OPE2009-79 LQE2009-38 |
Si細線導波路と相変化材料導波路を利用した、自己保持型2x2光スイッチを提案した。本スイッチは材料の相変化に伴う屈折率変... [more] | EMD2009-31 CPM2009-55 OPE2009-79 LQE2009-38 pp.27-30 |
| RECONF, CPSY, VLD, IPSJ-SLDM (共催) |
2006-01-17 15:50 |
神奈川 | 慶應大学日吉キャンパス 来往舎 | 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計 ○泉 貴富・高田雅史・中山和也・北川章夫（金沢大） |
相変化不揮発性メモリ（PRAM）における新しい多値化記憶の手法と回路を提案する.PRAMは,記憶素子としてカルコゲナイド... [more] | VLD2005-94 CPSY2005-50 RECONF2005-83 pp.37-42 |
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