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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
10:05
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
CBD法ZnOナノロッドのUV光検出器応用とCBD溶液濃度の素子特性への影響
藤川大治・○寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・山本哲也高知工科大ED2022-24 CPM2022-49 LQE2022-57
硝酸亜鉛六水和物(ZnNit)とヘキサメチレンテトラミン(HMT)の濃度比([HMT]/[ZnNit])が異なる混合水溶... [more] ED2022-24 CPM2022-49 LQE2022-57
pp.1-4
MWP 2021-05-26
17:25
ONLINE オンライン開催 光Two-tone信号を用いた光検出器の周波数特性測定と広帯域信号に対する非線形性評価
前田勇太馬庭野花瀬戸祐樹河端凌雅早大)・稲垣恵三NICT)・川西哲也早大MWP2021-7
現在、1 GHzを超える帯域幅を持つ無線システムの開発が進んでおり、これらのシステムにおいてはミリ波などの高い搬送波が用... [more] MWP2021-7
pp.29-33
LQE, OCS, OPE
(共催)
2019-05-13
16:50
東京 機械振興会館 B3階 研修2 [特別招待講演]高速光検出器アレーを用いた位相回復型コヒーレント受信方式
吉田悠来梅沢俊匡菅野敦史山本直克NICTOCS2019-8 OPE2019-8 LQE2019-8
高速光検出器アレー(PDA)と位相回復アルゴリズムにより,局発光や光ハイブリッド回路なしに光位相変調信号のコヒーレント受... [more] OCS2019-8 OPE2019-8 LQE2019-8
pp.29-34
OCS, OPE, LQE
(共催)
2017-10-27
09:30
熊本 桜の馬場城彩苑(熊本) 4ポートInPストークスベクトル受信器の設計と感度特性解析
菅沼貴博中野義昭種村拓夫東大OCS2017-47 OPE2017-79 LQE2017-52
短距離光通信向けの変調方式としてストークスベクトル直接検波方式が注目されている.ここに用いる安価なInP集積受信器として... [more] OCS2017-47 OPE2017-79 LQE2017-52
pp.57-60
LQE, LSJ
(共催)
2016-05-20
09:55
福井 福井市地域交流プラザ 標準CMOSプロセスで作製されたAPDの受光特性の波長依存性
飯山宏一ズル アトフィ ファウザン モハメド ナピア菱木拓哉金沢大LQE2016-9
標準CMOSプロセスで作製されたAPD (CMOS-APD)は10,V以下の電圧で高いアバランシェ利得と1,GHz以上の... [more] LQE2016-9
pp.37-41
OFT, OCS
(併催)
2015-08-27
17:05
北海道 小樽経済センター 3モードファイバの近視野像偏光成分からの完全モード分析法
國分泰雄渡邉達彦森田晃平河田 凌横浜国大OCS2015-34
我々は数モードファイバ(FMF)の縮退したモードも含めた導波モードの振幅励振比,位相,偏光状態を全て求めることができるモ... [more] OCS2015-34
pp.19-24
ED 2014-10-21
16:20
北海道 北大エンレイソウ a-Seのキャリア増倍を利用した光検出器の高感度化
増澤智昭静岡大)・大西正徳胡谷大志大畑慧訓月村玲菜落合 潤齋藤市太郎国際基督教大)・山田貴壽産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・岡野 健国際基督教大ED2014-67
アモルファスセレン(a-Se)を用いた光検出器は,高い位置分解能と応答速度を兼ね備え,さらにキャリア増倍による高感度化が... [more] ED2014-67
pp.25-28
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-24
09:50
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) ニオブ細線と金属ストライプを用いた光検出器の基礎検討
大貫進一郎・○関口洋平藤井 剛井上修一郎日大PN2013-63 OPE2013-177 LQE2013-163 EST2013-112 MWP2013-83
ニオブ細線と金属ストライプから構成される光検出器を提案し,電磁界解析を用いた基礎検討を行う.本デバイスは,光ファイバー内... [more] PN2013-63 OPE2013-177 LQE2013-163 EST2013-112 MWP2013-83
pp.193-196
LQE, OPE
(共催)
2013-06-21
14:00
東京 機械振興会館 GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答
前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大)・鈴木寿一北陸先端大OPE2013-10 LQE2013-20
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し,波長0.8 $mu$m帯での... [more] OPE2013-10 LQE2013-20
pp.19-22
LQE, LSJ
(共催)
2013-05-17
16:35
石川 金沢大学角間キャンパス BCB貼付け法によるSi基板上MSM型InGaAs光検出器のGHz応答
前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大LQE2013-15
シリコンゴトニクスを実現するためには,シリコンプラットフォーム上に受発光素子を集積化する技術が必要となる.本研究では,ベ... [more] LQE2013-15
pp.67-70
LQE, LSJ
(共催)
2013-05-17
17:00
石川 金沢大学角間キャンパス 標準CMOSプロセスで作製したアバランシェ光検出器の高速応答特性
霜鳥敏之刑部遼一丸山武男飯山宏一金沢大LQE2013-16
集積回路の更なる高速化および低電力化に向けた集積回路と光デバイスとの集積化を目的として、標準0.18 m... [more] LQE2013-16
pp.71-74
PN, EMT, LQE, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2013-01-25
17:15
大阪 大阪大学吹田キャンパス 高感度光検出に向けたプラズモニック導波路の設計
大貫進一郎・○関口洋平藤井 剛井上修一郎日大PN2012-75 OPE2012-184 LQE2012-176 EST2012-111 MWP2012-93
金属ストライプとニオブ細線から構成する光検出器を提案する.本デバイスは,光ファイバー内の 電磁エネルギーを金属ストライ... [more] PN2012-75 OPE2012-184 LQE2012-176 EST2012-111 MWP2012-93
pp.303-306
ED 2012-11-19
15:30
大阪 阪大中之島センター アモルファスセレンとダイヤモンド冷陰極を用いた光検出器の評価
増澤智昭国吉真吾大西正徳斎藤市太郎国際基督教大)・Angel T. T. KohDaniel H. C. ChuaNUS)・山田貴壽産総研)・下澤達雄東大)・岡野 健国際基督教大ED2012-57
アモルファスセレン(a-Se)を用いた光検出器は,高い位置分解能と応答速度を兼ね備え,さらにキャリア増倍による高感度化が... [more] ED2012-57
pp.15-17
LQE, LSJ
(共催)
2012-05-25
14:50
福井 福井大学文京キャンパス CMOSプロセスで作製した正孔注入方式APDの青色波長帯における特性評価
霜鳥敏之前北和晃丸山武男飯山宏一金沢大LQE2012-10
Blu-ray Discの更なる記録容量の増加にむけ、多層化技術が広く研究されている。しかし、記録面を多層化することで、... [more] LQE2012-10
pp.43-46
PN 2010-03-09
13:55
沖縄 大濱信泉記念館(石垣島) SFQバッファメモリのための1550nm帯光入力インターフェースの製作と評価
品田 聡寺井弘高王 鎮和田尚也NICTPN2009-99
単一磁束量子(Single Flux Quantum : SFQ)回路は,100 GHzを越える動作帯域を得られるため,... [more] PN2009-99
pp.73-77
OPE, LQE, OCS
(共催)
2009-10-23
16:55
福岡 九州大学 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD
板倉成孝酒井清秀石村栄太郎中路雅晴青柳利隆平野嘉仁三菱電機OCS2009-80 OPE2009-146 LQE2009-105
マイクロ波光伝送用のPDとして,大口径かつ低容量な高RF出力p-i-n PDを開発した.発熱密度を低減するためにPDの受... [more] OCS2009-80 OPE2009-146 LQE2009-105
pp.191-195
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
10:20
京都 京都大学 Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製
内田裕行上智大)・菊池昭彦岸野克巳上智大/JST
GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition:ISBT)はフェムト... [more] ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67
pp.63-67
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