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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 14:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝（東海大）  SDM2023-56 |
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では，シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] | SDM2023-56 pp.13-20 |
| ICD | 2023-04-10 10:20 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］単結晶チャネルと極低温動作による3次元フラッシュメモリの特性向上 ○田中 瞳・饗場悠太・前田高志・澤 敬一・菊島史恵・佐貫朋也（キオクシア） |
本報告では，単結晶チャネルと液体窒素を用いた77 Kでの極低温動作の組み合わせにより，3次元フラッシュメモリのセルトラン... [more] | |
| ICD | 2023-04-11 11:00 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read ○田中智晴（MMJ） ICD2023-9 |
メモリセル当たり４ビット(QLC)の記憶方式を用いた、１Tビットの記憶容量の3D-NANDフラッシュメモリを示す。本メモ... [more] | ICD2023-9 p.17 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-08 11:45 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | ［招待講演］3次元フラッシュメモリの高ビット密度を実現する半円型ゲート分断構造セルの構造及び動作の最適化検討 ○諸岡 哲・石川貴之・小村政則・加藤竜也・小山幸紀・韓 業飛・菅原陽平・桑原大輔・新屋敷悠介・村山昭之・西山勝哉・杉前紀久子・小倉達郎・竹田 裕・刈谷奈由太・合木悠佑・小沼将大・神谷優太・山下博幸・滋賀秀裕・板垣清太郎・田中里英子・前田高志・大谷紀雄・藤原 実（キオクシア） SDM2022-36 ICD2022-4 |
3次元フラッシュメモリのセルサイズを縮小し、少ない層数で高いビット密度を実現する技術として期待されているゲート分断構造セ... [more] | SDM2022-36 ICD2022-4 p.12 |
| SDM | 2020-01-28 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing ○石丸一成（キオクシア） SDM2019-87 |
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト（... [more] | SDM2019-87 p.19 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 09:40 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2019-36 DC2019-60 |
本稿では，低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき，かつ，書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と，そ... [more] | VLD2019-36 DC2019-60 pp.63-68 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 14:15 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | 3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化手法 ○阿部真輝・竹内 健（中大） ICD2019-30 IE2019-36 |
NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネ... [more] | ICD2019-30 IE2019-36 pp.7-12 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 15:45 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計 ○高井良貴・福地 守・松井千尋・木下怜佳・竹内 健（中大） ICD2019-41 IE2019-47 |
NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより，容量密度を大きくし，ビットコストを低減させてきた... [more] | ICD2019-41 IE2019-47 pp.59-63 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-22 16:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題 ○三谷祐一郎・関 春海・浅野孝典・中崎 靖（東芝メモリ） R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 |
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] | R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 pp.35-38 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 09:00 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | FiCCを用いたCMOS互換な超低消費電力不揮発性メモリ素子の特性測定回路の設計と試作 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2018-65 DC2018-51 |
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] | VLD2018-65 DC2018-51 pp.183-188 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 13:45 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | SCM/NANDフラッシュハイブリッドストレージにおけるアプリケーション特性に応じたSCM容量の自律最適化手法 ○松井千尋・竹内 健（中大） CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73 |
ストレージクラスメモリ（SCM）をNAND型フラッシュメモリの不揮発性キャッシュとして用いることで，ハイブリッドストレー... [more] | CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73 pp.29-30 |
| DC, SS (共催) |
2018-10-04 14:25 |
愛知 | 犬山国際観光センター「フロイデ」 | NANDフラッシュメモリにおける信頼性に合わせた多段階誤り訂正 ○小倉 涼・北神正人（千葉大） SS2018-19 DC2018-20 |
[more] | SS2018-19 DC2018-20 pp.7-12 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-08 15:00 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 3D-NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路の研究 ～ 従来のLUT方式、平面型との比較 ～ ○鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2018-43 ICD2018-30 |
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい回路設計を提案した。また従来の方式（平面型LUT方式、積層型LUT方式）と提... [more] | SDM2018-43 ICD2018-30 pp.95-100 |
| ICD | 2018-04-19 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | 3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法 ○鈴木 峻・出口慶明・中村俊貴・溝口恭史・竹内 健（中大） ICD2018-1 |
NAND型フラッシュメモリ向けの高信頼化手法として Asymmetric Coding(AC)が提案されている．本研究で... [more] | ICD2018-1 pp.1-6 |
| ICD | 2018-04-19 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | ヘテロジニアスストレージにおけるアプリケーションに応じた不揮発性メモリ構成の最適化 ○松井千尋・竹内 健（中大） ICD2018-2 |
データセンターストレージでは特性の異なるストレージアプリケーションに適切な半導体不揮発性メモリを組み合わせることが必要で... [more] | ICD2018-2 pp.7-10 |
| ICD | 2018-04-20 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology ○Hiroshi Maejima・Kazushige Kanda・Susumu Fujimura・Teruo Takagiwa・Susumu Ozawa・Jumpei Sato・Yoshihiko Shindo・Manabu Sato・Naoaki Kanagawa・Junji Musha・Satoshi Inoue・Katsuaki Sakurai・Toshifumi Hashimoto（TMC）・Hao Nguyen・Ken Cheah・Hiroshi Sugawara・Seungpil Lee（WDC）・Toshiki Hisada・Tetsuya Kaneko・Hiroshi Nakamura（TMC） ICD2018-10 |
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] | ICD2018-10 pp.39-44 |
| SDM | 2018-01-30 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 ○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内 健（中大） SDM2017-93 |
Near Data Computingでは, アプリケーションの一部を高速に処理するためにSSDコントローラー内に多くの... [more] | SDM2017-93 pp.9-12 |
| SDM | 2018-01-30 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-94 |
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる．FinFET SG-M... [more] | SDM2017-94 pp.13-16 |
| EMM, IT (共催) |
2017-05-23 14:00 |
山形 | 山形大学(米沢キャンパス) | ハミング符号を用いたコセット符号化によるParallel RIO符号の構成 ○山脇 章・鎌部 浩・路 サン（岐阜大） IT2017-13 EMM2017-13 |
Random I/O(RIO)符号は，複数のレベルをもつフラッシュメモリにおいて1つの論理ページを1回のしきい値判定によ... [more] | IT2017-13 EMM2017-13 pp.73-78 |
| ICD | 2017-04-20 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路 ○鶴見洸太・田中誠大・竹内 健（中大） ICD2017-5 |
IoTローカルデバイスに組み込まれるデータストレージとしてNAND型フラッシュメモリが注目されている。IoTローカルデバ... [more] | ICD2017-5 pp.23-28 |
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