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研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
SDM, ED, CPM (共催)	2013-05-17 11:45	静岡	静大（浜松）創造科学技術大学院	Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature -- Toward room temperature operation -- ○Daniel Moraru・Earfan Hamid・Arup Samanta（Shizuoka Univ.）・Le The Anh（JAIST）・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Hiroshi Mizuta（JAIST/Southampton Univ.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2013-28 CPM2013-13 SDM2013-35	[more]	ED2013-28 CPM2013-13 SDM2013-35 pp.65-70
SDM, ED (共催)	2013-02-27 15:40	北海道	北海道大学（百年記念会館）	Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn Junctions ○Sri Purwiyanti・Arief Udhiarto（Shizuoka Univ./Univ. Indonesia）・Roland Nowak（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Djoko Hartanto（Univ. Indonesia）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2012-132 SDM2012-161	In this work, we report the experimental observation of dopa... [more]	ED2012-132 SDM2012-161 pp.25-30
ED, SDM (共催)	2012-02-07 14:10	北海道	北海道大学百年記念会館	第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析 ○葛屋陽平・モラルダニエル・水野武志・田部道晴（静岡大）・水田　博（北陸先端大/サザンプトン大） ED2011-143 SDM2011-160	MOSFETの微細化に伴い、ランダムドーパントによる特性の揺らぎが大きな問題となってきている。これは、ナノメータ領域のチ... [more]	ED2011-143 SDM2011-160 pp.7-11
ED, SDM (共催)	2012-02-07 14:35	北海道	北海道大学百年記念会館	KFM observation of individual dopant potentials and electron charging ○Roland Nowak・Miftahul Anwar・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2011-144 SDM2011-161	We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure su... [more]	ED2011-144 SDM2011-161 pp.13-18
SDM, ED (共催)	2011-02-24 10:20	北海道	北海道大学百年記念会館	Single-Electron Transfer between Two Donors in Thin Nanoscale Silicon Transistors ○Daniel Moraru・Earfan Hamid・Juli Cha Tarido・Sakito Miki・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2010-202 SDM2010-237	[more]	ED2010-202 SDM2010-237 pp.57-62
SDM, ED (共催)	2011-02-24 11:10	北海道	北海道大学百年記念会館	Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2010-204 SDM2010-239	あらまし私たちは連続光照射がSOI電界効果トランジスタ(SOI-FETs)における量子ドットを介した単電子輸送に与え... [more]	ED2010-204 SDM2010-239 pp.67-72
ED, SDM (共催)	2010-07-01 11:50	東京	東工大大岡山キャンパス	［招待講演］Si単一ドーパントデバイスとその特性 ○田部道晴・Daniel Moraru・Earfan Hamid・Miftahul Anwar・Arief Udhiarto・中村竜輔・三木早樹人・水野武志（静岡大） ED2010-80 SDM2010-81	[more]	ED2010-80 SDM2010-81 pp.131-136
SDM, CPM, ED (共催)	2010-05-13 15:25	静岡	静岡大学（浜松キャンパス）	PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果 ○Earfan Hamid・Juli ChaTarido・Sakito Miki・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（静岡大） ED2010-21 CPM2010-11 SDM2010-21	[more]	ED2010-21 CPM2010-11 SDM2010-21 pp.23-26
SDM, CPM, ED (共催)	2010-05-13 15:50	静岡	静岡大学（浜松キャンパス）	リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出 ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Sakito Miki・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（静岡大） ED2010-22 CPM2010-12 SDM2010-22	[more]	ED2010-22 CPM2010-12 SDM2010-22 pp.27-31
ED, SDM (共催)	2008-01-30 14:20	北海道	北海道大学	Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope ○Maciej Ligowski（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Ratno Nuryadi・Akihiro Ichiraku・Miftahul Anwar（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2007-239 SDM2007-250	Dopant ionization was investigated by Kelvin Probe Force Mic... [more]	ED2007-239 SDM2007-250 pp.11-16
ED, SDM (共催)	2008-01-30 14:45	北海道	北海道大学	Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer ○Daniel Moraru・Daisuke Nagata・Kiyohito Yokoi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2007-240 SDM2007-251	Randomly distributed dopants in the channel of silicon-on-in... [more]	ED2007-240 SDM2007-251 pp.17-22
ED, SDM (共催)	2007-06-25 13:00	海外	Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州，韓国	［招待講演］Si single-electron FETs for single-photon detection ○Michiharu Tabe・Ratno Nuryadi・Zainal Burhanudin（Shizuoka Univ.）	我々は、Ｓｉデバイスのブレークスルーにとって、３つの要素が重要と考えて研究を進めている。すなわち、単電子の転送制御、単一... [more]
SDM, ED (共催)	2007-02-02 13:20	北海道	北海道大学百年記念会館	不規則系多重トンネル接合による単電子転送の時間制御 ○モラルダニエル（静岡大）・小野行徳（NTT）・猪川　洋・横井清人・ラトノヌルヤディ・池田浩也・田部道晴（静岡大）	[more]	ED2006-255 SDM2006-243 pp.83-88
SDM, ED (共催)	2007-02-02 13:40	北海道	北海道大学百年記念会館	Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors -- Sensing the presence of a single-charge in the substrate -- ○Zainal Burhanudin・Ratno Nuryadi・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）	[more]	ED2006-256 SDM2006-244 pp.89-94
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 14:35	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET ○ザイナルブルハヌディン・ラトノヌルヤディ・田部道晴（静岡大）	[more]	ED2006-39 CPM2006-26 SDM2006-39 pp.107-111
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 15:00	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Tunneling current oscillations in Si/SiO2/Si structures ○Daniel Moraru・Daisuke Nagata（Shizuoka Univ.）・Seiji Horiguchi（Akita Univ.）・Ratno Nuryadi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）	[more]	ED2006-40 CPM2006-27 SDM2006-40 pp.113-117
ED, SDM (共催)	2006-01-26 13:30	北海道	北海道大学百年記念会館大会議室	人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス ○石川靖彦・山本智寛・田部道晴（静岡大）	[more]	ED2005-224 SDM2005-236 pp.1-6
ED, SDM (共催)	2006-01-26 16:35	北海道	北海道大学百年記念会館大会議室	Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル ○ラトノヌルヤディ・石川靖彦・田部道晴（静岡大）	[more]	ED2005-230 SDM2005-242 pp.35-38

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