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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SANE | 2012-10-11 12:00 |
海外 | The SONGDO CONVENSIA, Incheon Korea | Development Status of Electrical Power Subsystem for X-ray Astronomy Satellite "ASTRO-H" ○Takanobu Shimada・Kazuyuki Hirose・Akio Kukita・Hirokazu Ikeda・Yoshio Ohgushi・Masanobu Ozaki・Tadayasu Dotani・Tsuyoshi Okazaki・Tadayuki Takahashi（JAXA）・Yukishige Nozaki・Takeshi Muramatsu（NTSpace）・Kazuyo Mizushima（NEC）  SANE2012-58 |
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) has been developin... [more] | SANE2012-58 pp.17-22 |
| SDM | 2011-07-04 11:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 ○石原由梨（芝浦工大）・渋谷寧浩・五十嵐 智（東京都市大）・小林大輔（JAXA）・野平博司（東京都市大）・上野和良（芝浦工大）・廣瀬和之（JAXA） SDM2011-55 |
「シリコンテクノロジー分科会研究集会発表」 MOSFETの微細化に伴うゲート酸化膜の薄膜化によるSiO2/Si界面近傍... [more] |
SDM2011-55 pp.29-34 |
| SANE | 2010-11-26 17:05 |
神奈川 | JAXA相模原キャンパス | 宇宙・民生のデュアルユースの半導体集積回路の開発と設計生産体制 ○齋藤宏文・廣瀬和之（JAXA）・黒田能克・石井 茂（三菱重工） SANE2010-126 |
宇宙用途と民生用途のデュアルユースの半導体集積回路の技術的開発と設計生産体制が完成したので報告する．0.2μm完全空乏型... [more] | SANE2010-126 pp.53-58 |
| SANE | 2008-06-26 16:30 |
茨城 | JAXA筑波宇宙センター | 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(仮) ○牧野高紘（総研大）・柳川善光（東大）・小林大輔（総研大/JAXA）・福田盛介（JAXA）・廣瀬和之・池田博一（総研大/JAXA）・斎藤宏文（東大/JAXA）・小野田 忍・平尾敏雄・大島 武（原子力機構）・高橋大輔・石井 茂・草野将樹・池淵 博・黒田能克（三菱重工） SANE2008-25 |
放射線によって論理LSI内に誘起されるスパイクノイズがソフトエラー源として顕在化してきている． 論理LSIはチップ内部... [more] |
SANE2008-25 pp.67-72 |
| SANE | 2007-11-30 11:10 |
神奈川 | JAXA (相模原) | 金星探査機PLANET-Cの電源系サブシステムの開発 ○豊田裕之・嶋田貴信・鵜野将年・廣瀬和之・田島道夫・石井信明・中村正人（JAXA）・野崎幸重・吉田禎仁（NEC東芝スペースシステム）・大登裕樹・江黒高志（古河電池） SANE2007-84 |
[more] | SANE2007-84 pp.13-18 |
| SDM | 2006-06-22 15:05 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定 ○鈴木治彦・長谷川 覚・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（武蔵工大/東工大）・山脇師之・鈴木信子（総研大）・小林大輔・廣瀬和之（JAXA） |
MOSデバイスの微細化に伴い、ゲートSiO2膜の厚さは0.8nmにまで達した。このような極薄膜の領域では、金属/SiO2... [more] | SDM2006-63 pp.119-124 |
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