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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SS 2017-03-09
11:00
沖縄 てんぶす那覇 再利用に基づく自動プログラム修正における更新順および類似度順の実装と評価
谷門照斗横山晴樹鷲見創一肥後芳樹楠本真二阪大SS2016-63
自動プログラム修正手法として,既存プログラム文の再利用に基づき修正を行う研究が行われている.自動プログラム修正は,プログ... [more] SS2016-63
pp.19-24
MSS, SS
(共催)
2017-01-27
16:30
京都 京都工芸繊維大学 60周年記念館 2階大セミナー室 欠陥の特徴を用いた自動欠陥修正の評価
横山晴樹肥後芳樹楠本真二阪大MSS2016-79 SS2016-58
デバッグは多大な労力を要する作業であり,作業コストの削減が課題である.
自動欠陥修正は欠陥を含むプログラムとテスト集合... [more]
MSS2016-79 SS2016-58
pp.129-134
SS 2016-03-10
15:15
沖縄 沖縄県立宮古青少年の家 開発者と自動プログラム修正手法による修正の差異の調査
中島弘貴横山晴樹肥後芳樹楠本真二阪大SS2015-87
近年,プログラム中の欠陥の特定および修正を自動的に行う手法が数多く提案されている.
自動プログラム修正手法は,欠陥を含... [more]
SS2015-87
pp.67-72
SS 2016-03-10
16:05
沖縄 沖縄県立宮古青少年の家 再利用に基づく自動プログラム修正における更新順を用いた挿入候補の絞込の提案
山本将弘横山晴樹肥後芳樹楠本真二阪大SS2015-89
自動プログラム修正において,ソースコード中の行を再利用して修正を行う研究が行われている.再利用に基づく自動プログラム修正... [more] SS2015-89
pp.79-84
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
16:15
東京 機械振興会館 APDの高線形化と28Gbaud PAM4動作への応用
名田允洋星 拓也山崎裕史横山春喜橋本俊和松崎秀昭NTTOPE2015-19 LQE2015-29
光通信用高速アバランシェフォトダイオード(APD)の高線形化について議論する。今回提案するAPDは、光吸収層における正孔... [more] OPE2015-19 LQE2015-29
pp.43-46
SS 2015-05-12
09:15
熊本 熊本大学 再利用に基づく自動バグ修正における再利用候補の絞込に向けた調査
横山晴樹大田崇史堀田圭佑肥後芳樹阪大)・岡野浩三信州大)・楠本真二阪大SS2015-10
近年,自動的にバグ修正を行う手法として既存プログラム文の再利用に基づく手法が注目を集めている.
自動バグ修正は,ソース... [more]
SS2015-10
pp.47-52
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
15:10
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これま... [more] ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
pp.103-106
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-22
11:30
北海道 小樽経済センター 垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化・高信頼化技術
名田允洋横山春喜村本好史松崎秀昭NTTR2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45
 [more] R2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45
pp.91-94
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:20
大阪 大阪大学 吹田キャンパス InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
pp.31-34
LQE, OCS, OPE
(共催)
2013-10-25
11:15
福岡 門司港・海峡ロマンホール 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化
名田允洋村本好史横山春喜石橋忠夫松崎秀昭NTTOCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85
 [more] OCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85
pp.99-102
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
13:30
大阪 大阪市立大学 GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性
渡邉則之横山春喜NTT)・重川直輝阪市大ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98
有機金属化学気相成長法(Metalorganic chemical vapor deposition: MOCVD)によ... [more] ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98
pp.21-24
EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2012-01-27
14:40
大阪 大阪大学コンベンションセンター ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
倉田優生那須悠介田村宗久村本好史横山春喜NTTPN2011-75 OPE2011-191 LQE2011-177 EST2011-125 MWP2011-93
偏波多重・多値位相変調を用いた次世代大容量光通信方式で必要となる高機能光デバイスを実現するため,低損失性や偏波・位相制御... [more] PN2011-75 OPE2011-191 LQE2011-177 EST2011-125 MWP2011-93
pp.299-304
ED, MW
(共催)
2012-01-12
10:35
東京 機械振興会館 MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
星 拓也杉山弘樹横山春喜栗島賢二井田 実NTTED2011-130 MW2011-153
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] ED2011-130 MW2011-153
pp.63-68
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-28
10:50
大阪 大阪大学 InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作
名田允洋村本好史横山春喜重川直輝児玉 聡NTTPN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142
アバランシェフォトダイオード (APD)は,一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし,信頼性を確保するた... [more] PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142
pp.103-106
ED 2010-12-16
14:10
宮城 東北大学 電気通信研究所 グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮
寺西豊志鈴木左文静野 薫浅田雅洋東工大)・杉山弘樹横山春喜NTTED2010-159
InP基板上のGaInAs/AlAs二重障壁の共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツ発振器において,グレーデッドエミッ... [more] ED2010-159
pp.7-12
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
16:10
東京 東工大 大岡山キャンパス Fundamental oscillations at ~900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures
Safumi SuzukiKiyohito SawadaAtsushi TeranishiMasahiro AsadaTokyo Inst. of Tech.)・Hiroki SugiyamaHaruki YokoyamaNTTED2010-61 SDM2010-62
 [more] ED2010-61 SDM2010-62
pp.47-48
OPE, LQE
(共催)
2010-06-25
14:55
東京 機械振興会館 地下3階研修1号室 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Feld MIC-PDの提案と実証
吉松俊英村本好史児玉 聡重川直輝横山春喜NTT)・石橋忠夫NELOPE2010-16 LQE2010-18
Maximized Induced Current Photodiode (MIC-PD)は所望の光吸収層厚におけるキャ... [more] OPE2010-16 LQE2010-18
pp.7-10
ED 2009-11-30
09:00
大阪 大阪科学技術センター スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器
澤田清仁鈴木左文寺西豊志白石誠人浅田雅洋東工大)・杉山弘樹横山春喜NTTED2009-166
スパイクドーピングを入れることによって,動作電圧を低減した共鳴トンネルダイオードにおいて約900GHzの基本波発振が得ら... [more] ED2009-166
pp.37-40
ED 2007-06-15
16:15
富山 富山大学 MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード
杉山弘樹松崎秀昭小田康裕横山春喜榎木孝知小林 隆NTTED2007-38
MOVPE法を用いてIn0.8Ga0.2As井戸層とAlAs障壁層を有するInP系共鳴トンネルダイオード(RTD)を作製... [more] ED2007-38
pp.39-43
MW, ED
(共催)
2007-01-19
13:50
東京 機械振興会館 Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ
渡邉則之横山春喜廣木正伸小田康裕NTT)・八木拓真NTT-AT)・小林 隆NTT
MOCVDでSi(111)基板上に高品質なInAlN/GaNヘテロ構造を成長した。成長条件の最適化により平坦な表面(rm... [more] ED2006-233 MW2006-186
pp.183-187
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