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 28件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-06-22
16:00
ONLINE オンライン開催 [依頼講演]デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして
鳥海 明 SDM2021-26
 [more] SDM2021-26
pp.17-20
SDM 2019-06-21
15:45
愛知 名古屋大学 VBL3F 超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード
矢嶋赳彬東大)・佐俣勇佑西村知紀鳥海 明JSTSDM2019-32
我々は超高誘電率(比誘電率~110)を持つTiO2をゲート絶縁体に用いることで、1×1014/cm2を超える大量の電子を... [more] SDM2019-32
pp.35-38
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2018-81
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
SDM 2019-01-29
09:55
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-82
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] SDM2018-82
pp.5-8
SDM 2019-01-29
10:20
東京 機械振興会館 [招待講演]負性容量効果をどのように理解するか
李 秀妍鳥海 明東大SDM2018-83
 [more] SDM2018-83
pp.9-12
SDM 2018-06-25
16:15
愛知 名古屋大学 VBL3F HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-25
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] SDM2018-25
pp.43-46
SDM 2018-01-30
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察
太田裕之右田真司池上 努服部淳一浅井栄大福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2017-91
 [more] SDM2017-91
pp.1-4
SDM 2018-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
Xuan TianLun XuShigehisa ShibayamaTomonori NishimuraTakeaki YajimaUniv. of Tokyo)・Shinji MigitaAIST)・Akira ToriumiUniv. of TokyoSDM2017-96
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] SDM2017-96
pp.21-24
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-02
10:50
北海道 北海道大学情報教育館 [招待講演]金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路
矢嶋赳彬西村知紀鳥海 明東大SDM2017-44 ICD2017-32
酸化バナジウムが示す金属絶縁体転移を利用して、キャパシタレスのニューロン回路を作製した。キャパシタが電荷を積算するのとは... [more] SDM2017-44 ICD2017-32
pp.107-108
SDM 2017-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション
太田裕之池上 勉服部淳一福田浩一右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2016-133
サブ10nm 世代の負性容量FinFET(NC-FinFET)のデバイス特性を新開発のtechnology comput... [more] SDM2016-133
pp.13-16
SDM 2017-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation
Xu LunShibayama ShigehisaIzukashi KazutakaNishimura TomonoriYajima TakeakiUniv. of Tokyo)・Migita ShinjiAIST)・Toriumi AkiraUniv. of TokyoSDM2016-137
 [more] SDM2016-137
pp.29-32
SDM 2017-01-30
16:00
東京 機械振興会館 [招待講演]多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ~ VO2揮発性スイッチの作製と応用 ~
矢嶋赳彬西村知紀鳥海 明東大SDM2016-138
モノのインターネット(IoT)においては、機能を特化したハードウェアによってコストを削減し、設計を単純化することが重要で... [more] SDM2016-138
pp.33-36
SDM 2016-11-10
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]フリーキャリア密度に依存したGeのバンドギャップとフォノン周波数 ~ 半導体のバンドは本当に『リジッド』なのか? ~
株柳翔一鳥海 明東大SDM2016-82
 [more] SDM2016-82
pp.23-26
SDM 2016-06-29
10:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針
太田裕之右田真司服部淳一福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2016-34
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数(SS)を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] SDM2016-34
pp.9-13
SDM 2015-01-27
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]HfO2/SiO2/SiゲートスタックにおけるSiO2スカベンジング現象の定式化
李 秀妍矢嶋赳彬西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大SDM2014-135
 [more] SDM2014-135
pp.1-4
SDM 2015-01-27
10:25
東京 機械振興会館 [招待講演]Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果
李 忠賢西村知紀魯 辞莽株柳翔一鳥海 明東大SDM2014-136
 [more] SDM2014-136
pp.5-8
SDM 2014-11-07
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism
ChoongHyun LeeTomonori NishimuraAkira ToriumiUniv. of TokyoSDM2014-107
 [more] SDM2014-107
pp.65-70
SDM 2014-06-19
15:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現
矢嶋赳彬二宮裕磨西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大SDM2014-55
 [more] SDM2014-55
pp.65-67
SDM 2014-01-29
09:35
東京 機械振興会館 [招待講演]2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱
長汐晃輔金山 薫西村知紀鳥海 明東大SDM2013-135
 [more] SDM2013-135
pp.1-4
SDM 2014-01-29
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察
李 忠賢西村知紀田畑俊行魯 辞莽張 文峰長汐晃輔鳥海 明東大SDM2013-136
本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する. Ge nMOSFETs... [more] SDM2013-136
pp.5-8
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