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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2016-04-14
10:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]容量結合データ書込技術を用いた7T-SRAM
高島大三郎遠藤真人東芝)・島崎一浩齋 学東芝マイクロエレクトロニクス)・谷野雅章東芝情報システムICD2016-2
本論文では、容量性結合によるデータ書込技術を用いた7Tr. SRAMについて述べる。従来SRAM固有の電流衝突を引き起こ... [more] ICD2016-2
pp.7-12
ICD 2011-04-18
10:50
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [招待講演]NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術
高島大三郎野口充宏柴田 昇神田和重助川 博藤井秀壮東芝ICD2011-2
本論文では、NAND Flashメモリの高性能化の技術動向と、標準NAND Flashプロセスを用いた混載DRAM技術に... [more] ICD2011-2
pp.7-12
ICD 2010-04-22
14:20
神奈川 湘南工大 [招待講演]Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術
高島大三郎滋賀秀裕橋本大輔宮川 正尾崎 徹金谷宏行首藤 晋山川晃司國島 巌東芝ICD2010-8
本論文では、高密度化/高速化/高バンド幅化が可能なChain FeRAMTM技術の概要と、Scalingに適したShie... [more] ICD2010-8
pp.41-46
ICD 2009-04-13
12:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM
滋賀秀裕高島大三郎白武慎一郎穂谷克彦宮川 正荻原 隆福田 良滝澤亮介初田幸輔松岡史宜長冨 靖橋本大輔西村久明日岡 健堂前須弥子東芝ICD2009-1
強誘電体メモリ(FeRAM)はDRAM並みの高速アクセスとフラッシュメモリ等の有する不揮発性とを兼ね備えており、次世代の... [more] ICD2009-1
pp.1-6
SDM 2007-03-15
15:25
東京 機械振興会館 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術
山川晃司尾崎 徹金谷宏行國島 巌玖村芳典下城義朗首藤 晋日高 修山田有紀山崎壮一浜本毅司白武慎一郎高島大三郎宮川 正東芝)・大槻純人東芝マイクロエレクトロニクス
 [more] SDM2006-259
pp.27-32
ICD 2006-04-13
13:00
大分 大分大学 [特別招待講演]Chain FeRAM技術と将来展望
高島大三郎東芝
連鎖型強誘電体メモリ(chain FeRAM®)は、高密度/高速/低消費電力化が可能な新規メモリとして有望である... [more] ICD2006-6
pp.31-36
ICD 2006-04-13
16:40
大分 大分大学 [パネル討論]新メモリとSoC,今何をすべきか?
日高秀人ルネサステクノロジ)・田口眞男SPANSION JAPAN)・河原尊之日立)・高島大三郎東芝)・上野修一ルネサステクノロジ)・高田雅史金沢大)・高橋真史東芝
2000年以降、新型メモリ開発ラッシュが続いているが、それらの比較や適するアプリケーションの議論は、ほとんどが単体メモリ... [more] ICD2006-9
p.49
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