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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| NLC | 2016-09-09 15:40 |
東京 | コンベンションルーム ＡＰ渋谷道玄坂 | Twitterを用いた皮膚障害情報の抽出 ○阿部健一・吉田博哉（神戸情報大）  NLC2016-28 |
消費者被害，特に皮膚障害の被害拡大を防ぐには，それらの情報を早期に収集し，分析することが重要である．本研究では，マイクロ... [more] | NLC2016-28 pp.85-88 |
| SDM | 2011-10-20 14:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減 ○鈴木裕彌・黒田理人・寺本章伸・米澤彰浩・松岡弘章・中澤泰希・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-98 |
ブロードチャネル構造によって，劇的なランダム・テレグラフ・ノイズ（RTN）の低減効果を得た．形成されるチャネルの位置をト... [more] | SDM2011-98 pp.5-9 |
| SDM | 2010-11-11 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 ○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2010-174 |
MOSFETにおけるRandom Telegraph Signal (RTS)の振幅，時定数等，重要なパラメータは一つ一... [more] | SDM2010-174 pp.17-22 |
| SDM | 2009-10-29 17:15 |
宮城 | 東北大学 | 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 ○藤澤孝文・阿部健一・渡部俊一・宮本直人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2009-123 |
MOSFETの微細化，低ノイズデバイス作製のために，RTSノイズを抑制することが必要である．本報告では短時間で多数個のR... [more] | SDM2009-123 pp.31-36 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 16:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies ○Kenichi Abe・Takafumi Fujisawa・Akinobu Teramoto・Syunichi Watabe・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2009-57 SDM2009-52 |
[more] | ED2009-57 SDM2009-52 pp.29-32 |
| SDM | 2008-10-10 14:00 |
宮城 | 東北大学 | MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価 ○藤澤孝文・須川成利・渡部俊一・阿部健一・寺本章伸・大見忠弘（東北大） SDM2008-163 |
[more] | SDM2008-163 pp.45-50 |
| SDM | 2008-10-10 15:15 |
宮城 | 東北大学 | Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関 ○熊谷勇喜・寺本章伸・阿部健一・藤澤孝文・渡部俊一・諏訪智之・宮本直人・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2008-165 |
絶縁膜にFowler-Noldheim（FN）電子注入ストレスを印加した際の、stress induced leakag... [more] | SDM2008-165 pp.57-62 |
| SDM | 2007-10-05 15:50 |
宮城 | 東北大学 | 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 ○阿部健一・須川成利・黒田理人・渡部俊一・寺本章伸・大見忠弘（東北大） SDM2007-192 |
非常に多数のMOSFETについて，それらの電気的特性及びランダム・テレグラフ・シグナル（RTS）特性を短時間で測定可能な... [more] | SDM2007-192 pp.65-68 |
| SDM | 2007-10-05 16:15 |
宮城 | 東北大学 | プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価 ○渡部俊一・須川成利・阿部健一・藤澤孝文・宮本直人・寺本章伸・大見忠弘（東北大） SDM2007-193 |
新規に提案した大規模アレイTEGを用い、アンテナ比を変化させた多数個のMOSFETの電気的特性を統計的に評価した。アンテ... [more] | SDM2007-193 pp.69-72 |
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