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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, OCS
(共催)
2023-11-24
16:55
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]マイクロトランスファープリンティング法による薄膜LNプラットフォーム上メンブレン光デバイス
前田圭穂西 英隆Nikolaos-Panteleimon Diamantopoulos藤井拓郎相原卓磨山岡 優開 達郎武田浩司瀬川 徹NTT)・太田泰友慶大)・岩本 敏荒川泰彦東大)・松尾慎治NTTOCS2023-56 OPE2023-106 LQE2023-53
マイクロトランスファープリンティング法を用いて、薄膜LN導波路・マッハツェンダ型変調器とメンブレンレーザ・SOAをヘテロ... [more] OCS2023-56 OPE2023-106 LQE2023-53
pp.34-36
OCS, LQE, OPE
(共催)
2023-10-19
13:50
高知 高知共済会館 COMMUNITY SQUARE
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiC基板上メンブレンレーザへのスポットサイズ変換器集積 ~ ファイバ結合光出力増大とファイバアンプフリー100 GBaud信号伝送 ~
山岡 優相原琢磨ニコラウスーパデレイモン ディアマドプロス西 英隆藤井拓郎前田圭穂杉山弘樹開 達郎武田浩司瀬川 徹松尾慎治NTTOCS2023-31 OPE2023-86 LQE2023-33
これまでにSiC基板上メンブレンレーザは最高速の直接変調を実現しているが,SiCの屈折率は2.6と比較的高いため,$Si... [more] OCS2023-31 OPE2023-86 LQE2023-33
pp.24-27
EMD, R, LQE, OPE, CPM
(共催)
2022-08-26
15:40
千葉 千葉工業大学津田沼キャンパス + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]光電子融合に向けたシリコン基板上メンブレン光デバイスの進展
前田圭穂開 達郎相原卓磨藤井拓郎佐藤具就土澤 泰瀬川 徹松尾慎治NTTR2022-30 EMD2022-18 CPM2022-35 OPE2022-61 LQE2022-24
光電融合デバイスの実現に向けて、ウェハ接合によって Si光回路上に集積されたメンブレン InP系 光デバイスの研究が進展... [more] R2022-30 EMD2022-18 CPM2022-35 OPE2022-61 LQE2022-24
pp.70-73
LQE, OCS, OPE
(共催)
2021-02-18
17:20
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]Siプラットフォーム上薄膜InGaAsP電界吸収型変調器
開 達郎相原卓磨前田圭穂藤井拓郎土澤 泰NTT)・髙畑清人硴塚孝明早大)・松尾慎治NTTOCS2020-41 OPE2020-73 LQE2020-79
 [more] OCS2020-41 OPE2020-73 LQE2020-79
pp.5-9
OCS, OPE, LQE
(共催)
2018-11-12
17:15
東京 機械振興会館 [特別招待講演]Si基板上薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨武田浩司藤井拓郎硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTOCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
(事前公開アブストラクト) Si基板上に薄膜InGaAsP位相シフタと水素フリーSiN導波路を集積し、マッハツェンダ変調... [more] OCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
pp.31-34
LQE, LSJ
(共催)
2017-05-26
10:50
石川 山代温泉葉渡莉 III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨長谷部浩一藤井拓郎武田浩司硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTLQE2017-13
 [more] LQE2017-13
pp.53-56
PN 2016-03-08
13:25
沖縄 沖縄県青年会館 通信応用に向けたSiプラットフォーム上低損失SiON導波路
開 達郎岡崎功太土澤 泰西 英隆山本 剛NTTPN2015-118
 [more] PN2015-118
pp.85-89
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
10:20
東京 機械振興会館 3次元SiOx導波路プラットフォーム上ファイバモード合分波器
開 達郎土澤 泰西 英隆山田浩治山本 剛NTTOPE2015-11 LQE2015-21
 [more] OPE2015-11 LQE2015-21
pp.5-8
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-22
14:25
北海道 小樽経済センター Auスタッドバンプ接合を用いたSiフォトニクスプラットフォーム用光電ハイブリッド集積チップ実装技術
碓氷光男武田浩太郎平田泰興福田 浩土澤 泰西 英隆高 磊開 達郎本田健太郎野河正史山田浩治山本 剛NTTR2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
Siフォトニクスプラットフォームへの適用を目指し,はんだを使用せず,200℃以下の低温で電子デバイスを搭載可能な新しいフ... [more] R2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
pp.109-114
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-23
17:40
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) Si-Ge-石英系モノリシック光集積プラットフォームとWDMレシーバへの適用
西 英隆開 達郎土澤 泰高 磊武田浩太郎NTT)・石川靖彦和田一実東大)・福田 浩山田浩治山本 剛NTTPN2013-60 OPE2013-174 LQE2013-160 EST2013-109 MWP2013-80
 [more] PN2013-60 OPE2013-174 LQE2013-160 EST2013-109 MWP2013-80
pp.141-146
OPE 2013-12-20
14:00
東京 機械振興会館 高電圧駆動時におけるWG型ゲルマニウムPDの挙動とその解析
武田浩太郎開 達郎土澤 泰西 英隆高 磊福田 浩山本 剛NTT)・石川靖彦和田一実東大)・山田浩治NTTOPE2013-140
本研究ではシリコン基板上に構築したゲルマニウムフォトダイオード(Ge-PD)を高電圧条件下で駆動し、光通信Cバンド、Lバ... [more] OPE2013-140
pp.13-18
LQE, CPM, EMD, OPE, R
(共催)
2012-08-24
13:10
宮城 東北大学電気通信研究所 ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGePDのSiプラットフォーム上モノリシック集積
西 英隆土澤 泰高 磊開 達郎福田 浩NTT)・石川靖彦和田一実東大)・山田浩治NTTR2012-43 EMD2012-49 CPM2012-74 OPE2012-81 LQE2012-47
 [more] R2012-43 EMD2012-49 CPM2012-74 OPE2012-81 LQE2012-47
pp.107-110
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