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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMCJ, MICT (併催) |
2024-03-15 10:55 |
島根 | ろうかん（松江市） | 環境・バイタルセンサデータによりBPSD予測性能向上のためのBPSD発症時期分析 ○新見龍之慎（電通大）・常盤直也（ラクスパートナーズ）・柴田純一・鈴木利一（iD）・柏木岳彦（電通大）・馬上竜也（ラクスパートナーズ）・嘉村魁人・大沼飛宇多・田野俊一・南 泰浩（電通大）  MICT2023-79 |
認知症患者が発症する行動・心理症状（BPSD）は，介護者の大きな負担となるだけでなく，患者本人の生活の質にも影響を与えて... [more] | MICT2023-79 pp.12-16 |
| LOIS | 2023-03-13 12:45 |
沖縄 | 大濱信泉記念館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
環境・バイタルセンサデータによる認知症における行動・心理症状（BPSD）の推定 ○南 泰浩（電通大）・常盤直也（ラクスパートナーズ）・柴田純一・鈴木利一（iD）・柏木岳彦・田野俊一（電通大） LOIS2022-48 |
[more] | LOIS2022-48 pp.23-28 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 09:35 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・梅木洋平・奥村俊介（神戸大）・川澄 篤・鈴木利一・森脇真一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） SDM2012-64 ICD2012-32 |
[more] | SDM2012-64 ICD2012-32 pp.7-12 |
| ICD | 2012-04-24 13:00 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術 ○宮地幸祐（東大）・鈴木利一（パナソニック）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2012-12 |
[more] | ICD2012-12 pp.61-66 |
| ICD | 2012-04-24 13:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM ○森脇真一・川澄 篤（半導体理工学研究センター）・鈴木利一（パナソニック）・山本安衛・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2012-13 |
[more] | ICD2012-13 pp.67-71 |
| ICD | 2012-04-24 14:15 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・奥村俊介（神戸大）・鈴木利一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2012-14 |
本論文では，低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する．提案技術は，プリチャージレスイコ... [more] | ICD2012-14 pp.73-78 |
| ICD | 2011-04-19 11:20 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM ○鈴木利一・森脇真一・川澄 篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター） ICD2011-12 |
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] | ICD2011-12 pp.65-70 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 12:30 |
北海道 | 北海道大学 | リード／ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法 ○鈴木利一（松下電器）・山内寛行（福岡工大）・山上由展・里見勝治・赤松寛範（松下電器） |
2ポートSRAMメモリセルは、リード／ライト同時ディスターブ・アクセスにおいても、メモリセルの動作マージンを保つ必要があ... [more] | SDM2006-149 ICD2006-103 pp.137-141 |
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