お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 3件中 1~3件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2016-01-22
14:35
東京 東京大学 山上会館 [招待講演]バンプレスインターコネクトを用いた三次元積層デバイス向けのウエハ薄化評価結果
金 永ソク児玉祥一水島賢子中村友二前田展秀藤本興治東工大)・川合章仁ディスコ)・大場隆之東工大SDM2015-116
Tera-byte 級のDRAM 実現の為に、三次元積層技術は期待されていて、特にWafer on Wafer 方法はコ... [more] SDM2015-116
pp.33-37
SDM 2014-02-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価
水島賢子富士通研/東工大)・金 永ソク東工大/ディスコ)・中村友二富士通研)・杉江隆一橋本秀樹東レリサーチセンター)・上殿明良筑波大)・大場隆之東工大SDM2013-167
10 um以下まで薄化したウェハを用いたバンプレスの積層技術を開発している。極薄膜のデバイスを積層するには、裏面研削がS... [more] SDM2013-167
pp.13-18
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
10:15
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター [招待講演]実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発
前田展秀金 永ソク東大)・彦坂幸信恵下 隆富士通セミコンダクター)・北田秀樹藤本興治東大)・水島賢子富士通研)・鈴木浩助大日本印刷)・中村友二富士通研)・川合章仁荒井一尚ディスコ)・大場隆之東大SDM2010-141 ICD2010-56
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した.裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] SDM2010-141 ICD2010-56
pp.95-97
 3件中 1~3件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会