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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出 ○佐藤恒輔（旭化成）・大森智也・山田和輝・田中隼也・石塚彩花・手良村昌平・岩山 章・岩谷素顕（名城大）・三宅秀人（三重大）・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大）  ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54 |
[more] | ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54 pp.9-12 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化 ○田先美貴子・清原一樹・小田原麻人・伊藤太一・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名大） ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69 |
GaNトンネル接合を有する電流狭窄構造は、LEDやレーザダイオードに利用されている。上部n-GaN層がトンネル接合とp型... [more] | ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69 pp.67-70 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:20 |
ONLINE | オンライン開催 | 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討 ○宮本義也・曽根直樹・Weifang Lu・奥田廉士・伊藤和真・奥野浩司・飯田一喜・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70 |
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、埋め込みn-GaN層の成長を検討した。ナノイン... [more] | ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70 pp.71-74 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討 ○田中隼也（名城大）・佐藤恒輔（旭化成）・安江信次・荻野雄矢・山田和輝・石塚彩花・大森智也・手良村昌平・岩山 章（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 |
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] | ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 pp.75-78 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 13:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大） ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 |
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] | ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 pp.93-96 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 12:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ ○飯田涼介（名城大）・林 菜摘，村永 亘・岩山 章・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 |
窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO... [more] | ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 pp.71-74 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 14:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長 ○佐々井耕平・Myunghee KIM・鈴木 敦・澁谷弘樹・栗崎湧気・軒村恭平・竹林 穣・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕・赤﨑 勇（名城大） ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78 |
[more] | ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78 pp.77-82 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 10:50 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 ○石原耕史・近藤保成・松原大幸・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 |
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] | ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 pp.1-6 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 09:00 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 窒化物系LED作製のレーザー加工による光取り出し効率向上の検討 ○花井 駿（名城大）・鈴木敦志・北野 司（ELSEED）・飯田大輔・加藤貴久・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2014-31 CPM2014-14 SDM2014-29 |
低コストでLEDデバイスを作製するには、個々のデバイスの間隔を狭くする必要がある。レーザーによるへき開のための溝形成は、... [more] | ED2014-31 CPM2014-14 SDM2014-29 pp.65-68 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 09:40 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響 ○勝野翔太・林 健人・安田俊輝・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31 |
窒化物半導体LEDにおけるキャリアオーバーフローの一因として、ヘテロ界面に誘起する分極電荷の影響が報告されている。本報告... [more] | ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31 pp.75-80 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 10:00 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用 ○山本雄磨・村瀬卓弥・石黒真未・山田知明・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32 |
本研究では、ゲートにp型GaNを用いたAlGaN/AlNヘテロ構造電界効果トランジスタ型（HFET型）UV光センサーを作... [more] | ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32 pp.81-84 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究 ○中嶋 翼・竹田健一郎・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101 |
我々はITO/Al反射電極、レーザリフトオフ、シリコーン封止を組み合わせることで350nm紫外LED光取り出し効率改善を... [more] | ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101 pp.11-16 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 17:05 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 ○黒川泰視・合田智美・加賀 充・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 |
[more] | ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 pp.57-61 |
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