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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
15:55
北海道 札幌市男女共同参画センター 4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ
木下勝治笹子佳孝峯邑浩行安齋由美子田井光春藤崎芳久草場壽一森本忠雄高濱 高峰 利之島 明生與名本欣樹小林 孝日立SDM2012-74 ICD2012-42
ストレージ向け3次元縦チェインセル型相変化メモリ(Vertical Chain-Cell-Type Phase-Chan... [more] SDM2012-74 ICD2012-42
pp.59-63
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
17:00
沖縄 沖縄県青年会館 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
Gwang-Geun Lee東工大)・Sung-Min YoonETRI)・Joo-Won Yoon東工大)・藤崎芳久日立)・石原 宏徳光永輔東工大SDM2010-16 OME2010-16
本稿では有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機のアモルファス酸化物半導体IGZOとを組み合わせて、不揮発性メモリ機能を... [more] SDM2010-16 OME2010-16
pp.71-75
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-09
10:25
福岡 福岡交通センター [招待講演]低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久守谷浩志高浦則克鳥居和功日立MR2009-26
次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価... [more] MR2009-26
pp.31-35
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久久米 均守谷浩志高浦則克鳥居和功日立SDM2009-112 ICD2009-28
ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more] SDM2009-112 ICD2009-28
pp.79-83
SDM 2007-03-15
13:05
東京 機械振興会館 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化
松井裕一黒土健三外村 修森川貴博木下勝治藤崎芳久松崎 望半澤 悟寺尾元康高浦則克守谷浩志岩崎富生日立)・茂庭昌弘古賀 剛ルネサステクノロジ
相変化メモリの低電力書換えを実現する革新的なメモリセルを開発した。GeSbTe(GST)とWプラグの間に極薄のTa2O5... [more] SDM2006-254
pp.1-6
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