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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:30 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀・岩井大介・岡本直哉・渡部慶二（富士通研）  ED2016-102 MW2016-178 |
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more] | ED2016-102 MW2016-178 pp.29-33 |
| ED | 2016-12-19 14:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2016-81 |
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] | ED2016-81 pp.7-12 |
| ED | 2016-01-20 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 ○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀（富士通研） ED2015-118 |
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM... [more] | ED2015-118 pp.37-41 |
| ED | 2015-12-21 13:45 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2015-92 |
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を，温度30... [more] | ED2015-92 pp.7-11 |
| ED | 2015-12-21 14:35 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・牧山剛三・中舍安宏・原 直紀（富士通研） ED2015-94 |
テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMI... [more] | ED2015-94 pp.19-23 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用 ○佐藤 優・芝 祥一・川野陽一・松村宏志・高橋 剛・鈴木俊秀・中舍安宏・原 直紀（富士通） ED2014-130 MW2014-194 |
[more] | ED2014-130 MW2014-194 pp.77-81 |
| ED | 2014-12-23 09:40 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上 ○高橋 剛・佐藤 優・中舎安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介（富士通研） ED2014-108 |
高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオード... [more] | ED2014-108 pp.57-61 |
| ED | 2014-08-01 10:30 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | ［招待講演］高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 ○高橋 剛・佐藤 優・中舍安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介（富士通研） ED2014-53 |
従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開... [more] | ED2014-53 pp.1-6 |
| ED | 2013-12-16 13:15 |
宮城 | 東北大通研 | ［招待講演］超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用 ○佐藤 優・川野陽一・芝 祥一・松村宏志・高橋 剛・鈴木俊秀・中舍安宏・原 直紀（富士通） ED2013-91 |
電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた．いずれの... [more] | ED2013-91 pp.7-11 |
| ED | 2013-12-16 14:20 |
宮城 | 東北大通研 | 高精度スペクトル計測に向けたF帯InP HEMT基本波ミキサの開発 ○芝 祥一・佐藤 優・松村宏志・高橋 剛・鈴木俊秀・中舍安宏・原 直紀（富士通） ED2013-93 |
110 GHzを超える周波数での高精度スペクトル計測を目的として，InP HEMT技術を用いた広帯域基本波ミキサを開発し... [more] | ED2013-93 pp.19-23 |
| ED | 2012-12-17 13:50 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器 ○芝 祥一・佐藤 優・鈴木俊秀・中舍安宏・高橋 剛・牧山剛三・原 直紀（富士通） ED2012-95 |
短距離大容量通信システムへの適用に向け，75 nm InP HEMTを用いてF帯（90-140 GHz）で動作する電流再... [more] | ED2012-95 pp.11-15 |
| ED | 2010-12-16 15:35 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 局部発振器用THz-QCLの開発 ○入交芳久（NICT）・芝 祥一（東大）・関根徳彦・寶迫 巌（NICT）・小山知記・前澤裕之（名大）・山本 智（東大） ED2010-161 |
[more] | ED2010-161 pp.19-24 |
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