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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2014-04-18
11:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]27%動作電力削減と85%リーク削減を実現する2電源SRAM用ビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路
櫛田桂一橘 文彦平林 修武山泰久川澄 篤鈴木 東仁木祐介静野観椰子佐々木慎一矢部友章畝川康夫東芝ICD2014-13
2電源SRAMの動作電力およびリーク電力を低減するビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路を提案した。ビッ... [more] ICD2014-13
pp.65-70
ICD 2013-04-12
13:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]統計手法を利用した極低電圧SRAM向けセンスアンプタイミング生成回路
川澄 篤武山泰久平林 修櫛田桂一橘 文彦仁木祐介佐々木慎一矢部友章東芝ICD2013-18
SRAMの消費電力を低減させるためには,低電圧動作が有効である.低電圧化に伴ってトランジスタのランダムばらつきの影響が大... [more] ICD2013-18
pp.91-96
ICD 2013-04-12
14:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]ビット線電力計算回路とデジタルLDOを使用した2電源SRAMの消費電力削減スキーム
静野観椰子橘 文彦平林 修武山泰久川澄 篤櫛田桂一鈴木 東仁木祐介佐々木慎一矢部友章畝川康夫東芝ICD2013-19
動作条件に応じてSRAMの消費電力低減を実現するビット線電力計算器とデジタル制御リテンション回路を提案した。ビット線電力... [more] ICD2013-19
pp.97-102
ICD 2011-04-19
09:55
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路
仁木祐介川澄 篤鈴木 東武山泰久平林 修櫛田桂一橘 文彦藤村勇樹矢部友章東芝ICD2011-9
SRAMの消費電力を低減させるためには,低電圧で動作させることが有効である.しかしながら,低電圧化に伴ってトランジスタの... [more] ICD2011-9
pp.49-54
ICD 2010-04-22
09:00
神奈川 湘南工大 [招待講演]SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM
藤村勇樹平林 修佐々木貴彦鈴木 東川澄 篤武山泰久櫛田桂一深野 剛片山 明仁木祐介矢部友章東芝ICD2010-1
本稿では、32nm High-k Metal Gate CMOSプロセスにて0.149μm2セルを用い開発した低電圧コン... [more] ICD2010-1
pp.1-6
ICD 2009-04-14
10:15
宮城 大観荘(宮城県松島町) [依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM
藤村勇樹平林 修川澄 篤鈴木 東武山泰久櫛田桂一佐々木貴彦片山 明深野 剛中里高明志津木 康串山夏樹矢部友章東芝ICD2009-5
デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として,ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し,... [more] ICD2009-5
pp.21-26
ICD 2008-04-17
09:25
東京 機械振興会館 [招待講演]非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ
佐々木貴彦川澄 篤矢部友章武山泰久平林 修櫛田桂一東芝)・東畑晃史東芝マイクロエレクトロニクス)・片山 明深野 剛藤村勇樹大塚伸朗東芝ICD2008-1
$0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを... [more] ICD2008-1
pp.1-6
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