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LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
14:20
静岡 アクトシティ浜松 ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術
尾崎史朗熊崎祐介岡本直哉中舍安宏多木俊裕原 直紀富士通ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57
高周波デバイスに適用可能な原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)-Al2O3絶縁ゲート構造... [more] ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57
pp.15-20
MW, ED
(共催)
2021-01-29
14:25
ONLINE オンライン開催 界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化
熊崎祐介多木俊裕小谷淳二尾崎史朗富士通/富士通研)・新井田佳孝富士通研)・美濃浦優一富士通/富士通研)・西森理人富士通)・岡本直哉富士通/富士通研)・佐藤 優中村哲一富士通研)・渡部慶二富士通/富士通研ED2020-34 MW2020-87
 [more] ED2020-34 MW2020-87
pp.34-37
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:00
東京 日立中研 ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上
熊崎祐介尾崎史朗美濃浦優一牧山剛三多木俊裕岡本直哉中村哲一富士通研ED2018-77 MW2018-144
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として,オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] ED2018-77 MW2018-144
pp.51-54
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
17:00
京都 京大桂キャンパス 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング
熊崎祐介植村圭佑佐藤威友北大ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷リセスエッチングを目的として,電気化学加工技術の検討を行った.AlGa... [more] ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82
pp.45-50
ED 2015-08-04
12:20
東京 機械振興会館 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性
喜田弘文熊崎祐介谷田部然治佐藤威友北大ED2015-53
分光電気化学測定法を用いて,GaN多孔質構造の光応答特性および光吸収特性を調査した.構造のもつ大きな表面積と低い光反射率... [more] ED2015-53
pp.51-54
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
09:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用
熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30
 [more] ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30
pp.63-66
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
16:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性
熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123
太陽電池や人工光合成等の光電極応用を目的として,電気化学的手法による多孔質構造の形成と,その光学特性の評価を行った.多孔... [more] ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123
pp.113-116
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-17
11:20
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換
熊崎祐介神保亮平谷田部然治・○佐藤威友北大ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の光吸収特性を, pn接合基板に形成した光電流測定素子を用い... [more] ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34
pp.61-64
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