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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 10:50 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Interface analysis of Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate ○Dariush H. Zadeh・Tanabe Shinichi・Watanabe Noriyuki・Matsuzaki Hideaki（NTT） |
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| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 15:10 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大）  ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 |
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これま... [more] | ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 pp.103-106 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 14:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大） ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 |
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] | ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 pp.31-34 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:30 |
大阪 | 大阪市立大学 | GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 ○渡邉則之・横山春喜（NTT）・重川直輝（阪市大） ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98 |
有機金属化学気相成長法（Metalorganic chemical vapor deposition: MOCVD）によ... [more] | ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98 pp.21-24 |
| CPM | 2011-10-27 10:20 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長 ○三原章宏・杉田憲一・Ashraful G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）・渡邉則之・重川直輝（NTT） CPM2011-120 |
InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n... [more] | CPM2011-120 pp.55-58 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林 隆（NTT） ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 |
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として，Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた． 1x10-5&... [more] | ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 pp.51-56 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ ○渡邉則之・横山春喜・廣木正伸・小田康裕（NTT）・八木拓真（NTT-AT）・小林 隆（NTT） |
MOCVDでSi(111)基板上に高品質なInAlN/GaNヘテロ構造を成長した。成長条件の最適化により平坦な表面(rm... [more] | ED2006-233 MW2006-186 pp.183-187 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2005-11-03 17:25 |
福岡 | 九州工業大学 | InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC ○柏尾典秀・栗島賢ニ・佐野公一・井田 実・渡邉則之・福山裕之・菅原裕彦・徳光雅美・榎木孝知（NTT） |
InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ(InP HBT)の全面再成長法により、InP HBTと単一走行キャリアフォトダイ... [more] | OCS2005-56 OPE2005-86 LQE2005-94 pp.43-46 |
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