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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-11
13:50
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]200MHz超のランダムアクセス読み出し、10.4MB/sの書き換えを実現した高性能MCU向け22nm 10.8Mb混載MRAMマクロ
伊豆名雅之小川大也松原 謙帯刀恭彦斉藤朋也武田晃一金田義宣下井貴裕三谷秀徳伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクス
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
ICD 2023-04-10
11:00
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]高性能IoTマイコン向け22nmロジック混載STT-MRAMの高速読み出し、高速書き換え回路技術の開発
下井貴裕松原 謙斉藤朋也小川大也帯刀恭彦金田義宣伊豆名雅之武田晃一三谷秀徳伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスICD2023-2
高性能IoTマイコン向け、22nmロジック混載プロセスにて試作した32Mb STT-MRAMの高精度センスアンプ回路技術... [more] ICD2023-2
p.7
SDM 2022-01-31
13:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72%の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式
斉藤朋也伊藤 孝帯刀恭彦園田賢一郎渡辺源太松原 謙神田明彦下井貴裕武田晃一河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2021-68
16nm FinFETロジックプロセス混載の20Mb STT-MRAMアレイを搭載したTEGチップを用いて、低エネルギー... [more] SDM2021-68
pp.1-4
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
09:30
熊本 熊本市 [招待講演]低電力混載ReRAM技術
植木 誠田辺 昭砂村 潤成廣 充上嶋和也増﨑幸治古武直也満生 彰武田晃一長谷 卓林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2015-65 ICD2015-34
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子(活性領域は0.009um2)から成る 2MbのReR... [more] SDM2015-65 ICD2015-34
pp.41-46
SCE 2015-01-22
09:50
東京 機械振興会館地下3階1号室 量子電流ミラー効果に基づく高精度な電流整数倍器の実現に向けた研究
武田晃一宮脇健至ガンドロシュラ スリニワス石田千尋萩原彩乃水柿義直島田 宏電通大SCE2014-49
我々は、静電的に結合された2本の微小ジョセフソン接合の線形配列間に見出された量子電流ミラー効果と呼ばれる直流電流の転写現... [more] SCE2014-49
pp.1-6
SDM 2012-03-05
10:50
東京 機械振興会館 Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス
久米一平井上尚也肱岡健一郎川原 潤武田晃一古武直也白井浩樹風間賢也桑原愼一渡會雅敏佐甲 隆高橋寿史小倉 卓泰地稔二笠間佳子ルネサス エレクトロニクスSDM2011-177
従来のeDRAMでは、M1とトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LS... [more] SDM2011-177
pp.7-11
ICD 2011-04-19
10:20
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式
武田晃一斉藤寿男朝山 忍相本代志治小畑弘之伊藤信哉高橋寿史竹内 潔野村昌弘林 喜宏ルネサス エレクトロニクスICD2011-10
 [more] ICD2011-10
pp.55-58
ICD 2006-04-14
11:40
大分 大分大学 次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン
武田晃一池田秀寿萩原靖彦野村昌弘NEC)・小畑弘之NECエレクトロニクス
 [more] ICD2006-16
pp.85-90
ICD, SDM
(共催)
2005-08-18
14:55
北海道 函館国際ホテル 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式
池永佳史野村昌弘武田晃一中澤陽悦NEC)・相本代志治NECエレクトロニクス)・萩原靖彦NEC
(事前公開アブストラクト) 我々は回路の動作時および待機時において電源電圧VDDとしきい電圧Vthを動的に制御することに... [more] SDM2005-139 ICD2005-78
pp.67-72
ICD 2005-04-14
09:00
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術
武田晃一萩原靖彦NEC)・相本代志治NECエレクトロニクス)・野村昌弘中澤陽悦NEC)・石井利生小畑弘之NECエレクトロニクス
今後の微細化に伴うバラツキの増大によって、SRAMの読み出しノイズマージンと書き込みマージンとが共に減少し、通常の電源電... [more] ICD2005-1
pp.1-6
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