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 15件中 1~15件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-01-30
14:10
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]10^7以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nmiPMA型Hexa-MTJ
本庄弘明西岡浩一三浦貞彦・○永沼 博渡辺俊成那須野 孝谷川高穂野口靖夫井上博文安平光雄池田正二遠藤哲郎東北大SDM2022-81
A solder reflow capable eflash-type MRAM was realized by int... [more] SDM2022-81
pp.9-12
ICD 2016-04-14
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計
小池洋紀三浦貞彦本庄弘明渡辺俊成佐藤英夫佐藤創志那須野 孝野口靖夫安平光雄谷川高穂丹羽正昭伊藤顕知池田正二大野英男遠藤哲郎東北大ICD2016-10
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な,高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧(Vref)生成回路,... [more] ICD2016-10
pp.51-56
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ
崎村 昇辻 幸秀根橋竜介本庄弘明森岡あゆ香石原邦彦NEC)・木下啓藏深見俊輔東北大)・三浦貞彦NEC)・笠井直記遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大)・杉林直彦NECSDM2014-69 ICD2014-38
 [more] SDM2014-69 ICD2014-38
pp.39-44
ICD 2014-04-17
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ~ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ~
大澤 隆・○小池洋紀東北大)・三浦貞彦NEC)・木下啓蔵東北大)・本庄弘明NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-7
 [more] ICD2014-7
pp.33-38
ICD 2014-04-18
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ
小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-17
磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティング... [more] ICD2014-17
pp.85-90
ICD 2013-04-11
14:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ~ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ~
遠藤哲郎大澤 隆小池洋紀東北大)・三浦貞彦本庄弘明徳留圭一NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男東北大ICD2013-6
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] ICD2013-6
pp.27-32
ICD 2013-04-11
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現
松永翔雲東北大)・三浦貞彦本庄弘明NEC)・木下啓蔵池田正二遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大ICD2013-7
高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア,Ternary Content-Addressable Mem... [more] ICD2013-7
pp.33-38
ICD 2013-04-11
16:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術
辻 幸秀根橋竜介崎村 昇森岡あゆ香本庄弘明徳留圭一三浦貞彦NEC)・鈴木哲広ルネサス エレクトロニクス)・深見俊輔木下啓藏羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2013-9
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] ICD2013-9
pp.41-46
ICD 2012-04-24
10:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ
根橋竜介崎村 昇辻 幸秀NEC)・深見俊輔東北大)・本庄弘明齊藤信作三浦貞彦石綿延行NEC)・木下啓蔵羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2012-10
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] ICD2012-10
pp.49-54
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
14:10
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM
深見俊輔鈴木哲広永原聖万大嶋則和NEC)・尾崎康亮NECエレクトロニクス)・齊藤信作根橋竜介崎村 昇本庄弘明森 馨五十嵐忠二三浦貞彦石綿延行杉林直彦NECSDM2009-114 ICD2009-30
高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き... [more] SDM2009-114 ICD2009-30
pp.91-95
ICD 2009-04-13
14:30
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発
杉林直彦根橋竜介崎村 昇本庄弘明斉藤信作NEC)・伊藤雄一NECエレクトロニクス)・三浦貞彦加藤有光森 馨NEC)・尾崎康亮小林洋介NECエレクトロニクス)・大嶋則和木下啓藏鈴木哲広永原聖万NECICD2009-3
 [more] ICD2009-3
pp.13-17
ICD 2008-04-18
13:55
東京 機械振興会館 共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ
根橋竜介崎村 昇杉林直彦本庄弘明齊藤信作加藤有光笠井直記NECICD2008-12
我々は、面積効率が高い混載向けMRAMマクロを提案する。このマクロに導入された、2T1MTJ-MRAMセル技術に基づく共... [more] ICD2008-12
pp.63-68
ICD 2008-04-18
14:20
東京 機械振興会館 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ
崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明斉藤信作加藤有光笠井直記NECICD2008-13
0.15um、1.5V CMOS技術を用いた1Mbit MRAMマクロにおいて不揮発メモリとして最高速の250MHz動作... [more] ICD2008-13
pp.69-74
ICD 2007-04-12
09:00
大分 大分県・湯布院・七色の風 混載向け高速MRAMセル技術
崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明志村健一笠井直記NECICD2007-1
我々は、次世代のシステムLSIへ混載可能な新しい高速MRAMセル技術を開発した。このセル技術は、?書き込み動作速度を飛躍... [more] ICD2007-1
pp.1-5
ICD 2006-04-14
09:30
大分 大分大学 4MbMRAMとその応用
杉林直彦本田雄士崎村 昇永原聖万三浦貞彦志村健一辻 清孝福本能之本庄弘明鈴木哲広加藤有光齋藤信作笠井直記沼田秀昭大嶋則和NEC
開発した4MbMRAMのセル技術、回路技術、試作結果及び応用提案について報告する。メモリセルはトグルセルであり、0.24... [more] ICD2006-12
pp.63-67
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