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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 15:45 |
東京 | 中央大学 | 大容量/高速ストレージを実現する3次元相変化メモリ ○小林 孝・木下勝治・笹子佳孝（日立）  MR2013-11 |
次世代の大容量ストレージ向けに、3次元縦型チェインセル相変化メモリを開発した。本メモリは積層された複数のゲートを一括加工... [more] | MR2013-11 pp.31-34 |
| ICD | 2013-04-11 09:00 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］低熱伝導のナノ結晶材料を用いた低電力相変化デバイス ○森川貴博・秋田憲一・大柳孝純・北村匡史・木下勝治・田井光春・高浦則克（超低電圧デバイス技研組合） ICD2013-1 |
[more] | ICD2013-1 pp.1-4 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 15:55 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ ○木下勝治・笹子佳孝・峯邑浩行・安齋由美子・田井光春・藤崎芳久・草場壽一・森本忠雄・高濱 高・峰 利之・島 明生・與名本欣樹・小林 孝（日立） SDM2012-74 ICD2012-42 |
ストレージ向け3次元縦チェインセル型相変化メモリ(Vertical Chain-Cell-Type Phase-Chan... [more] | SDM2012-74 ICD2012-42 pp.59-63 |
| SDM | 2011-11-10 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・峯邑浩行・安齋由美子・田井光春・黒土健三・森田精一・高橋俊和・高濱 高・森本忠雄・峰 利之・島 明生・小林 孝（日立） SDM2011-117 |
ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造により、... [more] | SDM2011-117 pp.11-15 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 09:50 |
富山 | 富山県民会館 | 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・峯邑浩行・安齋由美子・田井光春・黒土健三・森田精一・高橋俊和・高濱 高・森本忠雄・峰 利之・島 明生・小林 孝（日立） SDM2011-85 ICD2011-53 |
ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造によって... [more] | SDM2011-85 ICD2011-53 pp.75-78 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-10-09 10:25 |
福岡 | 福岡交通センター | ［招待講演］低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術 ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立） MR2009-26 |
次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価... [more] | MR2009-26 pp.31-35 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・久米 均・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立） SDM2009-112 ICD2009-28 |
ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more] | SDM2009-112 ICD2009-28 pp.79-83 |
| SDM | 2007-03-15 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化 ○松井裕一・黒土健三・外村 修・森川貴博・木下勝治・藤崎芳久・松崎 望・半澤 悟・寺尾元康・高浦則克・守谷浩志・岩崎富生（日立）・茂庭昌弘・古賀 剛（ルネサステクノロジ） |
相変化メモリの低電力書換えを実現する革新的なメモリセルを開発した。GeSbTe(GST)とWプラグの間に極薄のTa2O5... [more] | SDM2006-254 pp.1-6 |
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