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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 14:20 |
宮城 | 東北大・通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高抵抗炭素ドープGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価 ○吉屋佑樹・星 拓也・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT）  ED2023-63 MWPTHz2023-73 |
優れた高周波・ハイパワー特性を有するN極性GaN HEMTの実現には，結晶成長時の酸素取り込みに起因するGaNバッファの... [more] | ED2023-63 MWPTHz2023-73 pp.46-51 |
| ED, MW (共催) |
2018-01-25 16:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階研修2号室 | SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 ○白鳥悠太・星 拓也・井田 実・松崎秀昭（NTT） ED2017-96 MW2017-165 |
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ（DHBT... [more] | ED2017-96 MW2017-165 pp.15-18 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2016-10-28 11:30 |
宮崎 | 宮崎市民プラザ（宮崎） | 高速APDによる56Gbit/s 40km伝送 ○名田允洋・星 拓也・松崎秀昭（NTT） OCS2016-50 OPE2016-91 LQE2016-66 |
(事前公開アブストラクト) 高速APDによる、５６Ｇｂｉｔ／ｓ NRZ信号の光アンプレス４０ｋｍ伝送に成功したので報告す... [more] | OCS2016-50 OPE2016-91 LQE2016-66 pp.87-90 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | APDの高線形化と28Gbaud PAM4動作への応用 ○名田允洋・星 拓也・山崎裕史・横山春喜・橋本俊和・松崎秀昭（NTT） OPE2015-19 LQE2015-29 |
光通信用高速アバランシェフォトダイオード（APD）の高線形化について議論する。今回提案するAPDは、光吸収層における正孔... [more] | OPE2015-19 LQE2015-29 pp.43-46 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ○星 拓也・杉山弘樹・横山春喜・栗島賢二・井田 実（NTT） ED2011-130 MW2011-153 |
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] | ED2011-130 MW2011-153 pp.63-68 |
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