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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2017-04-20
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術
中野全也伊藤 孝山内忠昭山口泰男河野隆司日高秀人ルネサス エレクトロニクスICD2017-8
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] ICD2017-8
pp.39-44
ICD 2016-04-15
10:55
東京 機械振興会館 [招待講演]車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発
中西 悟三谷秀徳松原 謙吉田 浩河野隆司帯刀恭彦伊藤 孝倉藤 崇野口健二日高秀人山内忠明ルネサス エレクトロニクスICD2016-15
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] ICD2016-15
pp.77-81
ICD 2015-04-16
14:25
長野 信州大学 [招待講演]車載用途200MHz高速読出し動作および書込みスループット2.0MB/sを達成した28nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発発
棟安 誠帯刀恭彦中野全也伊藤 孝河野隆司野口健二日高秀人山内忠昭ルネサス エレクトロニクスICD2015-4
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、28nmプロセスのSG-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] ICD2015-4
pp.15-19
ICD 2013-04-12
09:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]車載向け高速、高信頼性40nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発 ~ 160MHzランダムアクセス可能コード領域と10M回書き換え可能データ領域の実現 ~
小川大也河野隆司伊藤 孝鶴田 環西山崇之長澤 勉川嶋祥之日高秀人山内忠昭ルネサス エレクトロニクスICD2013-13
混載フラッシュメモリを備えたマイクロコントローラ(フラッシュMCU)の市場は、1990年代以降、着実に成長している。特に... [more] ICD2013-13
pp.61-66
ICD 2009-04-13
15:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) [パネル討論]低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?
日高秀人ルネサステクノロジ)・山岡雅直日立)・宮野信冶東芝)・秋山 悟日立)・杉林直彦NEC)・川嶋将一郎富士通マイクロエレクトロニクス)・尾坂匡隆パナソニックICD2009-4
SOC向けの低電圧メモリは混載SRAMが主流であるが、微細化に伴い、ロジックコア電圧に追随した低電圧化の困難化、待機電力... [more] ICD2009-4
p.19
ICD 2007-04-12
10:00
大分 大分県・湯布院・七色の風 セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM
村井泰光谷崎弘晃ルネサスデザイン)・辻 高晴大谷 順山口雄一郎古田陽雄上野修一大石 司林越正紀日高秀人ルネサステクノロジICD2007-3
1T-4MTJ(1-Transistor 4-Magnetic Tunnel Junction)という高密度なMRAM(... [more] ICD2007-3
pp.13-16
ICD 2006-04-13
16:40
大分 大分大学 [パネル討論]新メモリとSoC,今何をすべきか?
日高秀人ルネサステクノロジ)・田口眞男SPANSION JAPAN)・河原尊之日立)・高島大三郎東芝)・上野修一ルネサステクノロジ)・高田雅史金沢大)・高橋真史東芝
2000年以降、新型メモリ開発ラッシュが続いているが、それらの比較や適するアプリケーションの議論は、ほとんどが単体メモリ... [more] ICD2006-9
p.49
ICD 2005-04-15
10:30
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア
辻 高晴ルネサステクノロジ)・谷崎弘晃ルネサスデバイスデザイン)・石川正敏大谷 順山口雄一郎上野修一大石 司日高秀人ルネサステクノロジ
MRAM (Magnetic Random Access Memory) は無制限の書き換え/読み出し回数による高信頼性... [more] ICD2005-13
pp.1-6
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