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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-02-07
14:30
東京 東京大学/本郷 工学部4号館 42講義室 [招待講演]p型GaN上に形成した単結晶Al配線およびそのGaN FETへの応用
原田剛史宇高孝二神田裕介大西克彦パナソニック セミコンダクターソリューションズ)・松永啓一引田正洋上本康裕パナソニックSDM2018-95
 [more] SDM2018-95
pp.19-22
MW, ED
(共催)
2007-01-19
14:50
東京 機械振興会館 ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ
上本康裕引田正洋上野弘明松尾尚慶石田秀俊柳原 学上田哲三田中 毅上田大助松下電器
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] ED2006-235 MW2006-188
pp.193-197
MW, ED
(共催)
2005-11-17
13:35
佐賀 佐賀大学 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
西嶋将明村田智洋廣瀬 裕引田正洋根来 昇酒井啓之上本康裕井上 薫田中 毅上田大助松下電器
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] ED2005-165 MW2005-120
pp.39-43
MW, ED
(共催)
2005-01-18
09:20
東京 機械振興会館 ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
引田正洋柳原 学中澤一志上野弘明廣瀬 裕上田哲三上本康裕田中 毅上田大助松下電器)・江川孝志名工大
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] ED2004-212 MW2004-219
pp.1-5
MW, ED
(共催)
2005-01-18
10:10
東京 機械振興会館 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET
村田智洋引田正洋廣瀬 裕井上 薫上本康裕田中 毅上田大助松下電器
 [more] ED2004-214 MW2004-221
pp.13-17
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