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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SR | 2024-05-20 14:50 |
鹿児島 | 勤労者交流センター(鹿児島) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］ミリ波帯Radio Unit (RU)に向けたデバイス開発 ○小林 純・志村利宏・大橋洋二・本田 敦・川野陽一・鈴木俊秀・関 宏之（富士通） |
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| CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD (共催) QIT (併催) [詳細] |
2018-03-08 13:50 |
静岡 | 東レ総合研修センター | ［招待講演］Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 ○原 直紀・高橋 剛・川野陽一・中舍安宏（富士通/富士通研）  EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 |
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト... [more] | EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 pp.9-10 |
| ED | 2016-12-19 15:05 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］InPデバイス、CMOSデバイスによるミリ波・テラヘルツ波回路技術 ○川野陽一（富士通研） ED2016-82 |
[more] | ED2016-82 pp.13-16 |
| ED | 2016-01-20 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 ○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀（富士通研） ED2015-118 |
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM... [more] | ED2015-118 pp.37-41 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用 ○佐藤 優・芝 祥一・川野陽一・松村宏志・高橋 剛・鈴木俊秀・中舍安宏・原 直紀（富士通） ED2014-130 MW2014-194 |
[more] | ED2014-130 MW2014-194 pp.77-81 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | カスケード位相比較器を用いたミリ波PLLシンセサイザ ○松村宏志・川野陽一・佐藤 優・大島武典・志村利宏・鈴木俊秀・大橋洋二（富士通）・原 直紀（富士通研） ED2013-114 MW2013-179 |
カスケード位相比較器を用いた新しいPLLアーキテクチャを提案する。このアーキテクチャは低位相雑音と低スプリアスを同時に実... [more] | ED2013-114 MW2013-179 pp.25-28 |
| ED | 2013-12-16 13:15 |
宮城 | 東北大通研 | ［招待講演］超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用 ○佐藤 優・川野陽一・芝 祥一・松村宏志・高橋 剛・鈴木俊秀・中舍安宏・原 直紀（富士通） ED2013-91 |
電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた．いずれの... [more] | ED2013-91 pp.7-11 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2012-07-27 11:40 |
山形 | 山形大学米沢キャンパス | ［招待講演］90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC ○神田浩一（富士通研）・川野陽一・佐々木孝朗・白井徳明・田村哲朗・川井重明・工藤真大・村上智敏（富士通セミコンダクター）・中本裕之（富士通研）・長谷川延正・加納英樹（富士通セミコンダクター）・峰山亜希子・大石和明（富士通研）・島 昌司・田村直義（富士通セミコンダクター） ICD2012-28 |
[more] | ICD2012-28 pp.65-70 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-15 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発 ○中舍安宏・川野陽一・鈴木俊秀（富士通）・多木俊裕（富士通研）・高橋 剛・牧山剛三・原 直紀（富士通） ED2009-190 MW2009-173 |
[more] | ED2009-190 MW2009-173 pp.87-92 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 14:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］準ミリ波・ミリ波帯CMOSパワー増幅器 ○鈴木俊秀・川野陽一（富士通/富士通研）・佐藤 優（富士通研）・中舍安宏・廣瀬達哉（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・常信和清（富士通/富士通研） ED2009-50 SDM2009-45 |
本論文は90 nm CMOS技術を用いた準ミリ波・ミリ波帯のパワーアンプに関する。準ミリ波アンプは20GHzで線形利得1... [more] | ED2009-50 SDM2009-45 pp.1-4 |
| ED | 2008-12-19 15:55 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発 ○中舍安宏・川野陽一・鈴木俊秀（富士通）・多木俊裕（富士通研）・高橋 剛・牧山剛三（富士通）・廣瀬達哉（富士通研）・原 直紀（富士通） ED2008-189 |
10 Gb/sを超えるインパルス無線通信装置の実現に向け、70-100 GHzミリ波帯で動作するウェーブレット（波束）送... [more] | ED2008-189 pp.27-32 |
| MW, EMCJ (共催) |
2008-10-23 16:45 |
山形 | 山形大学（米沢） | ミリ波帯CMOSパワーアンプ ○鈴木俊秀・川野陽一・佐藤 優・廣瀬達哉・原 直紀・常信和清（富士通研） EMCJ2008-67 MW2008-111 |
あらまし ミリ波帯で設計可能なトランジスタの独自モデルとパラメータの開発、さらに配線ロスを低減する整合回路設計技術を用... [more] | EMCJ2008-67 MW2008-111 pp.47-51 |
| ED | 2007-11-27 14:20 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器 ○中舍安宏・川野陽一・鈴木俊秀（富士通）・多木俊裕（富士通研）・高橋 剛・牧山剛三（富士通）・廣瀬達哉（富士通研）・原 直紀（富士通） ED2007-189 |
10 Gb/sを超えるインパルス方式伝送装置の実現に向け，0.13 um InP HEMTを用いて短パルス発生器を開発し... [more] | ED2007-189 pp.11-16 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-18 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路 ○鈴木俊秀・川野陽一・中舎安宏・牧山剛三・高橋 剛・原 直紀・廣瀬達哉（富士通研） |
0.13um InP系HEMT技術を用いて，40Gbit/s以上で動作可能なデジタルICを開発した．新規開発したマルチフ... [more] | ED2005-193 MW2005-147 pp.7-12 |
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