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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 13:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(Ⅱ) ○秋田佳輝・松尾直人（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大）  EID2018-5 SDM2018-78 |
本研究では，Ge膜のFLA結晶化時にSiOxキャップ膜が及ぼす影響を調査した．FLA結晶化におけるpoly-Ge膜の結晶... [more] | EID2018-5 SDM2018-78 pp.17-20 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 16:00 |
京都 | 京都大学 | Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果 ○吉岡尚輝・秋田佳輝・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大） EID2017-26 SDM2017-87 |
[more] | EID2017-26 SDM2017-87 pp.77-80 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:00 |
京都 | 京都大学 | 軟X線源を用いたSiOx中nc-Siの形成 ○草壁 史・平野翔大・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏・宮本修治（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大） EID2014-32 SDM2014-127 |
[more] | EID2014-32 SDM2014-127 pp.99-102 |
| SDM | 2011-02-07 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 ○小濱和之・伊藤和博・薗林 豊（京大）・大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大） SDM2010-221 |
我々は、Cu(Ti)合金薄膜と誘電体層との界面反応を用いた「Ti基自己形成バリア」を検討してきた。近年、Ti基自己形成バ... [more] | SDM2010-221 pp.31-35 |
| SDM | 2010-02-05 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 ○大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西 隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武 浩（ルネサステクノロジ） SDM2009-188 |
プロセスの微細化が進むにしたがって、配線抵抗がデバイスの性能に与える影響は大きくなる．我々は、低抵抗かつ高信頼なCu配線... [more] | SDM2009-188 pp.37-41 |
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