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 27件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-02
13:15
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ
小林正治日掛凱斗李 卓ハオ ジュンシャンパンディ チトラ更屋拓哉平本俊郎東大)・高橋崇典上沼睦典浦岡行治奈良先端大SDM2023-45 ICD2023-24
半導体デバイスの大規模集積化においては,デバイスの二次元的な微細化に加えて三次元集積化によりデバイスの高密度化と高機能化... [more] SDM2023-45 ICD2023-24
pp.45-49
SDM 2023-06-26
13:30
広島 広島大学 ナノデバイス研究所 [依頼講演]オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓
藤原弘和糸矢祐喜小林正治バレイユ セドリック辛 埴谷内敏之東大SDM2023-32
HfO$_2$ 系強誘電体キャパシタの特性変動メカニズムを解明するために、in-situ 電気特性評価システムが実装され... [more] SDM2023-32
pp.19-22
ICD 2023-04-10
09:30
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM
遠藤正己沼田至優大嶋和晃恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山崎舜平半導体エネルギー研
 [more]
SDM 2023-01-30
13:40
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
大嶋和晃遠藤正己沼田至優恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2022-80
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。
HfO2系キャパシタの下部... [more]
SDM2022-80
pp.5-8
SDM 2022-01-31
15:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング
黒川義元馬場晴之大下 智濱田俊樹安藤善範方堂涼太大野敏和廣瀬貴史國武廣司村川 努半導体エネルギー研)・名倉 徹福岡大)・小林正治東大)・吉田 宏Min-Cheng ChenPSMC)・Ming-Han LiaoNational Taiwan Univ.)・Shou-Zen ChangPSMC)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2021-72
CAAC-IGZO FET/Si CMOSモノリシック積層プロセスにより高演算効率のアナログインメモリコンピューティング... [more] SDM2021-72
pp.16-19
SDM 2021-11-11
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究
小林正治Mo, FeiXiang, JiawenMei, Xiaoran沢辺慶起更屋拓哉平本俊郎東大)・Su, Chun-JungTSRI)・Hu, Vita Pi-HoNTUSDM2021-56
ビッグデータの利活用のためにはIoTエッジデバイスにおけるストレージメモリの大容量化が欠かせない.特に消費電力性能が重要... [more] SDM2021-56
pp.19-22
SDM 2021-11-11
16:15
ONLINE オンライン開催 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案
竹内 潔水谷朋子更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2021-58
基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の2倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が... [more] SDM2021-58
pp.29-32
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
14:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作
後藤正英NHK)・本田悠葵NHKエンジニアリングシステム)・渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治東大)・日暮栄治産総研)・年吉 洋平本俊郎東大ICD2019-38 IE2019-44
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの... [more] ICD2019-38 IE2019-44
pp.45-49
SDM 2019-11-07
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
小林正治莫 非多川友作更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-69
 [more] SDM2019-69
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:00
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2019-41 ICD2019-6
最大SRAMデータ保持電圧 (DRV) の推定に極値理論を応用した.65nm技術で作製したバルク6T-SRAM デバイス... [more] SDM2019-41 ICD2019-6
pp.27-30
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
09:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討
小林正治莫 非多川友作金 成吉安 珉柱更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-45 ICD2019-10
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] SDM2019-45 ICD2019-10
pp.59-62
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
15:15
広島 サテライトキャンパスひろしま 画素単位の3次元集積化技術を用いたリニア広ダイナミックレンジ出力QVGAイメージセンサ
後藤正英本田悠葵渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治日暮栄治年吉 洋平本俊郎東大CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造CMOSイメージ... [more] CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76
pp.43-48
QIT
(第二種研究会)
2018-11-26
13:30
東京 東京大学 [ポスター講演]多量子ビット化実現に向けたスケーラブルな積層構造型シリコン量子ビットの提案
伊藤優希小林正治平本俊郎東大
シリコン量子ビットの多量子ビット化に向けて積層構造型シリコン量子ビットを提案する。提案するシリコン量子ビットは量子ビット... [more]
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
09:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang GaoTomoko MizutaniKiyoshi TakeuchiMasaharu KobayashiToshiro HiramotoUniv. TokyoSDM2018-37 ICD2018-24
We present a new finding that subthreshold slope (SS) variab... [more] SDM2018-37 ICD2018-24
pp.65-70
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2018-49 ICD2018-36
ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,... [more] SDM2018-49 ICD2018-36
pp.121-126
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
14:10
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計
小林正治多川友作バク ヒ平本俊郎東大SDM2018-50 ICD2018-37
 [more] SDM2018-50 ICD2018-37
pp.127-130
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:00
北海道 北海道大学情報教育館 [招待講演]ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM
小林正治上山 望平本俊郎東大SDM2017-37 ICD2017-25
 [more] SDM2017-37 ICD2017-25
pp.45-48
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:45
北海道 北海道大学情報教育館 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉東大)・篠原尋史早大)・小林正治平本俊郎東大SDM2017-38 ICD2017-26
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] SDM2017-38 ICD2017-26
pp.49-54
SDM 2017-01-30
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
小林正治上山 望蒋 京珉平本俊郎東大SDM2016-132
 [more] SDM2016-132
pp.9-12
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2017-01-31
10:55
広島 みやじま杜の宿(広島) [招待講演]強誘電性HfO2を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討
小林正治上山 望蒋 京珉平本俊郎東大EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91
 [more] EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91
pp.51-54
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