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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN (共催) PEM, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-01-25 10:20 |
兵庫 | 姫路西はりま地場産業センター | ウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による室温ニ波長レーザ発振 ○盧 翔孟・南 康夫（徳島大）・熊谷直人（産総研）・森田 健（千葉大）・北田貴弘（徳島大）  PN2017-40 EMT2017-77 OPE2017-118 LQE2017-100 EST2017-76 MWP2017-53 |
GaAs/AlGaAs多層膜で構成する結合共振器構造を使って，電流注入による赤外二波長レーザ発振とその差周波発生を同一素... [more] | PN2017-40 EMT2017-77 OPE2017-118 LQE2017-100 EST2017-76 MWP2017-53 pp.9-14 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-26 14:45 |
徳島 | 徳島大学 | ［招待講演］半導体多層薄膜を使った結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子 ○北田貴弘・南 康夫・盧 翔孟（徳島大） EID2016-33 |
３つのブラッグ反射多層膜と２つの等価な共振器層で構成する化合物半導体多層膜結合共振器を使った新しいテラヘルツ発光素子を提... [more] | EID2016-33 pp.33-36 |
| LQE, LSJ (共催) |
2016-05-20 13:50 |
福井 | 福井市地域交流プラザ | テラヘルツ帯差周波発生に適した結合共振器による二波長面発光レーザの作製 ○太田寛人・盧 翔孟・熊谷直人・北田貴弘・井須俊郎（徳島大） LQE2016-15 |
電流注入により室温で動作するテラヘルツ波発生素子を目指して，半導体多層膜結合共振器構造を用いた面発光型の二波長レーザの作... [more] | LQE2016-15 pp.67-72 |
| EST, OPE, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2015-01-30 09:50 |
大阪 | 大阪大学 豊中キャンパスΣホール | 結合共振器構造による二波長面発光とテラヘルツ波発光素子 ○原山千穂・盧 翔孟・熊谷直人・北田貴弘・井須俊郎（徳島大） PN2014-66 OPE2014-191 LQE2014-178 EST2014-120 MWP2014-88 |
[more] | PN2014-66 OPE2014-191 LQE2014-178 EST2014-120 MWP2014-88 pp.245-250 |
| ED | 2012-12-17 14:15 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | ［招待講演］半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生 ○森田 健・北田貴弘・井須俊郎（徳島大） ED2012-96 |
新たな面型テラヘルツ波発生素子として半導体微小共振器を二つ連結した半導体結合共振器構造を提案した。この結合共振器構造では... [more] | ED2012-96 pp.17-21 |
| OPE, OFT (共催) |
2012-03-02 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ ○森田 健・上山日向・北田貴弘・井須俊郎（徳島大） OFT2011-79 OPE2011-205 |
本研究では、歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AlAs多層膜... [more] | OFT2011-79 OPE2011-205 pp.31-34 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-29 08:55 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ ○北田貴弘・高橋朋也・森田 健・井須俊郎（徳島大） PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171 |
共振器内での光カー効果を利用した面型全光スイッチとして機能するGaAs$\slash$AlAs多層膜光共振器を分子線エピ... [more] | PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171 pp.85-88 |
| ED, SDM, R (共催) |
2006-11-24 15:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 ～ (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 ～ ○渡邊一世（NICT）・篠原啓介（Rockwell）・北田貴弘（徳島大）・下村 哲（愛媛大）・遠藤 聡・山下良美・三村高志（富士通研）・冷水佐壽（奈良高専）・松井敏明（NICT） |
[more] | R2006-35 ED2006-180 SDM2006-198 pp.21-25 |
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