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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-01-30 13:10 |
東京 | 機械振興会館（B3-1） | ［招待講演］セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発 ○張 文馨（産総研）・余 心仁・洪 子杰・李 耀仁（台湾半導体研究中心）・趙 天生（台湾陽明交通大）・王 永和（台湾成功大）・前田辰郎（産総研）  SDM2022-79 |
[more] | SDM2022-79 pp.1-4 |
| SDM | 2017-02-06 13:35 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性 ○服部淳一・福田浩一・入沢寿史・太田裕之・前田辰郎（産総研） SDM2016-143 |
モノリシック三次元インバータについて，積み重なったトランジスタの電気的結合が性能に与える影響をTCAD（technolo... [more] | SDM2016-143 pp.23-28 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 15:00 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］低消費電力LSI応用へ向けた高移動度III-V/Ge CMOS技術の最近の進展と課題 ○入沢寿史（産総研）・池田圭司・上牟田雄一・小田 穣・手塚 勉（産総研/東芝）・前田辰郎・太田裕之・遠藤和彦（産総研） SDM2015-63 ICD2015-32 |
[more] | SDM2015-63 ICD2015-32 pp.31-36 |
| SDM | 2014-01-29 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs ○入沢寿史・小田 穣・池田圭司・守山佳彦・三枝栄子・W Jevasuwan・前田辰郎（産総研）・市川 麿・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・宮本恭幸（東工大）・手塚 勉（産総研） SDM2013-137 |
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] | SDM2013-137 pp.9-12 |
| ED | 2013-08-09 09:25 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 ○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研） ED2013-45 |
あらまし MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた．GaSb/GaAs界... [more] | ED2013-45 pp.37-42 |
| SDM | 2010-06-22 14:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 ○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎（産総研）・山田 永・福原 昇・秦 雅彦（住友化学）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）・星井拓也・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2010-42 |
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] | SDM2010-42 pp.49-54 |
| SDM | 2007-06-08 15:05 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性 ○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（産総研）・高木信一（産総研/東大） SDM2007-50 |
[more] | SDM2007-50 pp.101-106 |
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