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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 14:00 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaAs半導体プロセスにおけるウエハ反りの低減 ○西澤弘一郎（三菱電機）・松本 歩・福室直樹（兵庫県立大）・中川康幸・日坂隆行・佐久間 仁・小島善樹（三菱電機）・八重真治（兵庫県立大）  ED2023-65 MW2023-157 |
GaAs半導体裏面電極に用いられるNi-Pめっき膜はストレスが高く、ウエハ反りの要因となっている。200℃以上の熱処理で... [more] | ED2023-65 MW2023-157 pp.1-3 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:15 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析 ○西澤弘一郎（三菱電機）・松本 歩・福室直樹（兵庫県立大）・中川康幸・佐久間 仁・後藤清毅（三菱電機）・八重真治（兵庫県立大） ED2022-92 MW2022-151 |
GaAs 半導体デバイスの裏面電極には電解 Au めっき膜などが用いられ，そのシード層として，GaAs基板との密着性が高... [more] | ED2022-92 MW2022-151 pp.33-35 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 15:25 |
北海道 | 小樽経済センター | 背面モニター用不等間隔導波路付きチューナブルレーザ ○笹畑圭史・松本啓資・柳楽 崇・佐久間 仁・岸本一誠・鈴木正人・鈴木大輔・堀口裕一郎・高林正和・望月敬太・後藤田光伸・有賀 博・石村栄太郎（三菱電機） R2014-48 EMD2014-53 CPM2014-68 OPE2014-78 LQE2014-52 |
我々は、はじめて背面波長モニター用不等間隔導波路を集積した16 DFBレーザアレイ型チューナブルレーザを開発した。TEC... [more] | R2014-48 EMD2014-53 CPM2014-68 OPE2014-78 LQE2014-52 pp.127-131 |
| LQE, OPE (共催) |
2011-06-30 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | 10G-EPON用APDの開発 ○笹畑圭史・中路雅晴・庵原 晋・山路和樹・菊地真人武・鈴木大輔・佐久間 仁・國次恭宏・石村栄太郎・杉立厚志（三菱電機） OPE2011-27 LQE2011-27 |
我々は、10G-EPON ONU用受光素子として、モジュール作製時の光結合が容易な大受光径（φ40 μｍ）の表面入射型A... [more] | OPE2011-27 LQE2011-27 pp.65-69 |
| LQE | 2010-12-17 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ ○境野 剛・瀧口 透・外間洋平・佐久間 仁・綿谷 力・柳楽 崇・鈴木大輔・青柳利隆・石川高英・石村栄太郎・島 顕洋（三菱電機） LQE2010-119 |
1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFBレーザにて，p-InP基板を用いたパッシブ導波路集積型短共振器構造とすることで... [more] | LQE2010-119 pp.23-26 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2009-10-23 17:20 |
福岡 | 九州大学 | 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発 ○竹村亮太・中路雅晴・佐久間 仁・綿谷 力・柳楽 崇・鈴木大輔・青柳利隆・石川高英（三菱電機） OCS2009-81 OPE2009-147 LQE2009-106 |
我々は、100Gビットイーサネット用受光素子として、大受光径を有し、広帯域・高感度を兼ね備えた表面入射型pin-PDを開... [more] | OCS2009-81 OPE2009-147 LQE2009-106 pp.197-200 |
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