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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2019-08-09 13:55 |
茨城 | 産業技術総合研究所 | ランダムアクセスメモリにおける超伝導ナノ構造ラインドライバの検討 ○佐野京佑・近藤真生・田中雅光（名大）・山下太郎（名大/JSTさきがけ）・井上真澄（名城大）・藤巻 朗（名大）  SCE2019-15 |
[more] | SCE2019-15 pp.37-41 |
| SCE | 2018-10-10 16:15 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | SFQ-CMOSハイブリッドメモリ構築に向けた超伝導ナノ構造トランジスタの設計と評価 ○佐野京佑・丸山晃平・田中雅光（名大）・山下太郎（名大/JSTさきがけ）・井上真澄（名城大）・藤巻 朗（名大） SCE2018-21 |
[more] | SCE2018-21 pp.25-30 |
| SCE | 2017-10-05 11:40 |
宮城 | 東北大学 | NbTiN超薄膜の評価とナノ構造熱援用デバイスへの応用 ○佐野京佑・鈴木雅斗・丸山晃平・田中雅光・藤巻 朗（名大）・井上真澄（名城大） SCE2017-30 |
[more] | SCE2017-30 pp.47-52 |
| SCE | 2014-01-24 15:30 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | 非対称ナノブリッジを利用した高温超伝導デバイスの特性 ○山本宗範（名大）・井上真澄（名城大）・藤巻 朗（名大） SCE2013-56 |
[more] | SCE2013-56 pp.123-128 |
| SCE | 2013-01-24 10:40 |
岡山 | 岡山大学 | モートの形状による磁束排除効果依存性の数値解析 ○溝口翔太・井上真澄・藤巻 朗（名大） SCE2012-29 |
[more] | SCE2012-29 pp.25-30 |
| SCE | 2012-10-25 15:40 |
東京 | 機械振興会館地下3階1号室 | モートにおける磁束排除効果の形状依存性の数値解析 ○溝口翔太・伊藤 大・井上真澄・藤巻 朗（名大） SCE2012-23 |
本研究では時間依存 Ginzburg-Landau(TDGL)方程式を数値解析することにより,モートを形成した超伝導体薄... [more] | SCE2012-23 pp.37-42 |
| SCE | 2011-01-24 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 高速光スイッチングデバイス開発に向けたYBCOジョセフソン接合およびナノブリッジの光応答計測 ○菊田真也・金子亮介（阪大）・川山 巌（阪大/JST）・村上博成（阪大）・梶野顕明・藤田圭佑・安 保宇・井上真澄・藤巻 朗（名大）・斗内政吉（阪大） SCE2010-42 |
YBCOジョセフソン接合およびナノブリッジに超短パルスレーザーを照射し、超伝導電流を高速変調する新規な高速スイッチングデ... [more] | SCE2010-42 pp.35-40 |
| SCE | 2010-10-19 10:15 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称ナノブリッジにおけるボルテクスのラチェット的挙動 ○藤田圭佑・梶野顕明・早川桂太・安 保宇・井上真澄・藤巻 朗（名大） SCE2010-24 |
非対称電流－電圧特性が期待される非対称形状YBa2Cu3O7-x (YBCO)ナノブリッジを作製し，単一磁束回路用整流回... [more] | SCE2010-24 pp.1-5 |
| SCE | 2010-10-19 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析 ○堤 早希・御田村直樹・赤池宏之・井上真澄・藤巻 朗（名大） SCE2010-29 |
[more] | SCE2010-29 pp.31-36 |
| SR | 2005-07-29 14:20 |
神奈川 | YRP | [技術展示] 超伝導ディジタル素子を用いたソフトウエア無線受信機 ○関谷彰人（JST）・西土佳典・赤池宏之・岡田 啓・井上真澄・山里敬也・藤巻 朗・片山正昭（名大） |
[more] | SR2005-34 pp.91-96 |
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