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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-02 13:15 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ ○小林正治・日掛凱斗・李 卓・ハオ ジュンシャン・パンディ チトラ・更屋拓哉・平本俊郎（東大）・高橋崇典・上沼睦典・浦岡行治（奈良先端大）  SDM2023-45 ICD2023-24 |
半導体デバイスの大規模集積化においては，デバイスの二次元的な微細化に加えて三次元集積化によりデバイスの高密度化と高機能化... [more] | SDM2023-45 ICD2023-24 pp.45-49 |
| SDM, OME (共催) |
2021-04-23 16:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］酸化物薄膜トランジスタにおけるホットキャリア効果 ○浦岡行治・高橋崇典・藤井茉美・ベルムンド パオロ・上沼睦典（奈良先端大） SDM2021-6 OME2021-6 |
[more] | SDM2021-6 OME2021-6 pp.22-25 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 積層構造によるAl2O3/GaN MOS特性の改善 曽根原 翔・上沼睦典・○浦岡行治（奈良先端大） EID2020-9 SDM2020-43 |
[more] | EID2020-9 SDM2020-43 pp.35-36 |
| SDM, EID (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2019-12-24 13:25 |
奈良 | 奈良先端大(物質領域 大講義室） | SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価 ○古川暢昭・上沼睦典・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2019-5 SDM2019-80 |
[more] | EID2019-5 SDM2019-80 pp.1-4 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 14:30 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性 ○池口 翼・荒牧達也（龍谷大）・梅田鉄馬・上沼睦典（奈良先端大）・是友大地・曲 勇作・古田 守（高知工科大）・木村 睦（龍谷大） |
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| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 14:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | ミストCVD法により作製したGa-Sn-O薄膜熱電変換素子の評価 ○荒牧達也・野村竜生・池口 翼・松田時宜（龍谷大）・梅田鉄馬・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） |
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| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:15 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-16 SDM2017-77 |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] | EID2017-16 SDM2017-77 pp.23-28 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:30 |
京都 | 京都大学 | レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定 ○野村竜生・荒牧達也・松田時宜（龍谷大）・梅田鉄馬・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-17 SDM2017-78 |
廃熱を回収し，効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられて... [more] | EID2017-17 SDM2017-78 pp.29-34 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 15:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 非晶質InGaZnO薄膜の熱電特性評価 ○多和勇樹・上沼睦典・藤本裕太・瀬名波大貴・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2016-25 SDM2016-106 |
[more] | EID2016-25 SDM2016-106 pp.71-74 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 11:30 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | 超分子タンパク質を利用した超微細FETへのメモリ応用 ○番 貴彦・上沼睦典（奈良先端大）・右田真司（産総研）・石河泰明・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） EID2015-11 SDM2015-94 |
チャネル長3.6 nmの超微細FET であるV溝型のJunction-less FET（JL-FET）に対し、そのV溝底... [more] | EID2015-11 SDM2015-94 pp.9-12 |
| SDM | 2015-06-19 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） SDM2015-52 |
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため，ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり，同... [more] | SDM2015-52 pp.75-80 |
| SDM | 2013-06-18 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果 ○上沼睦典（阪大）・番 貴彦・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-55 |
シリコン酸化膜中にFe3O4ナノ粒子を埋め込むことで安定した抵抗変化スイッチング動作が確認された。バイオ鋳型を用いてナノ... [more] | SDM2013-55 pp.57-60 |
| SDM | 2012-06-21 10:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製 ○上武央季（奈良先端大/JST）・小原孝介（奈良先端大）・上沼睦典・鄭 彬・石河泰明（奈良先端大/JST）・山下一郎（奈良先端大/JST/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2012-46 |
フラッシュメモリの記憶デバイスにあたるフローティングゲートメモリの中でも，電荷保持層がナノドットの二次元配列であるナノド... [more] | SDM2012-46 pp.17-21 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 14:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 ～ 薄膜中の局所欠陥制御 ～ ○上沼睦典・番 貴彦・鄭 彬・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2012-4 OME2012-4 |
抵抗変化型メモリ（ReRAM）は、次世代の不揮発性メモリとして期待されている．その動作原理は、抵抗変化膜中に形成されるフ... [more] | SDM2012-4 OME2012-4 pp.15-20 |
| SDM | 2010-06-22 17:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 ～ 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 ～ 上沼睦典・○川野健太郎（奈良先端大/CREST JST）・吉井重雄・山下一郎（奈良先端大/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/CREST JST） SDM2010-48 |
本研究では、フェリチンにより内包した金ナノ粒子とフェリチンのバイオミネラリゼーションにより形成したPtナノ粒子を用いて抵... [more] | SDM2010-48 pp.85-88 |
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