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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2016-10-26
15:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-71
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2016-71
pp.15-20
SDM 2016-10-26
16:10
宮城 東北大学未来研 [招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-72
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] SDM2016-72
pp.21-25
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
13:35
熊本 熊本市 [招待講演]原子スイッチを用いた不揮発性論理回路(NPL)およびROM
辻 幸秀白 旭宮村 信阪本利司多田宗弘伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸NEC)・杉井信之日立)・波田博光NECSDM2015-61 ICD2015-30
原子スイッチをコンフィグレーション用のスイッチとして用いた不揮発性論理集積回路(NPL)、および、メモリとして用いたRO... [more] SDM2015-61 ICD2015-30
pp.19-24
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
10:55
熊本 熊本市 [招待講演]high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子小林正治平本俊郎東大SDM2015-67 ICD2015-36
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] SDM2015-67 ICD2015-36
pp.53-57
SDM 2014-10-17
14:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2014-94
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2014-94
pp.61-68
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
Koichiro IshibashiUEC)・Nobuyuki SugiiLEAP)・Kimiyoshi UsamiSIT)・Hideharu AmanoKU)・Kazutoshi KobayashiKIT)・Cong-Kha PhamUEC)・Hideki MakiyamaYoshiki YamamotoHirofumi ShinoharaToshiaki IwamatsuYasuo YamaguchiHidekazu OdaTakumi HasegawaShinobu OkanishiHiroshi YanagitaLEAPSDM2014-62 ICD2014-31
 [more] SDM2014-62 ICD2014-31
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
09:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2014-72 ICD2014-41
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vm... [more] SDM2014-72 ICD2014-41
pp.55-58
ICD 2014-04-18
09:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・水谷朋子平本俊郎東大ICD2014-11
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] ICD2014-11
pp.53-57
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2013-75 ICD2013-57
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評... [more] SDM2013-75 ICD2013-57
pp.47-52
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道 札幌市男女共同参画センター [依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2012-68 ICD2012-36
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] SDM2012-68 ICD2012-36
pp.29-32
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:25
北海道 札幌市男女共同参画センター 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹角村貴昭岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2012-69 ICD2012-37
65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し,バルクMOSトランジスタ... [more] SDM2012-69 ICD2012-37
pp.33-36
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more]
SDM 2012-06-21
16:35
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
田村雄太吉原 亮角嶋邦之パールハット アヘメト片岡好則西山 彰杉井信之筒井一生名取研二服部健雄岩井 洋東工大SDM2012-59
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] SDM2012-59
pp.87-92
SDM 2011-07-04
09:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現
川那子高暢角嶋邦之Parhat Ahmet筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大SDM2011-50
本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。8... [more] SDM2011-50
pp.1-5
SDM 2011-07-04
10:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析
ザデ ダリューシュ細井隆司アヘメト パルハット角嶋邦之筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大SDM2011-53
 [more] SDM2011-53
pp.17-22
SDM 2010-06-22
10:45
東京 東京大学(生産研An棟) SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討
茂森直登佐藤創志角嶋邦之パールハット アヘメト筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大SDM2010-36
SiナノワイヤにおけるNiシリサイドはワイヤ形状や周囲の酸化膜の影響から、バルク基板との反応と異なった反応を示す。ワイヤ... [more] SDM2010-36
pp.17-22
SDM 2010-06-22
13:45
東京 東京大学(生産研An棟) EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討
来山大祐小柳友常角嶋邦之Parhat Ahmet筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大SDM2010-41
EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k... [more] SDM2010-41
pp.43-48
SDM 2007-06-08
11:20
広島 広島大学(学士会館) ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ~ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ~
佐藤創志舘 喜一宋 在烈角嶋邦之パールハット アヘメト筒井一生杉井信之服部健雄岩井 洋東工大SDM2007-44
窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa2O3膜を堆積することにより、La2O3膜への窒素導入を行った。La2O3... [more] SDM2007-44
pp.71-74
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
09:50
北海道 北海道大学 薄膜BOX 完全空乏型SOI MOSFET におけるばらつきの影響
大藤 徹東大)・杉井信之日立)・平本俊郎東大
 [more] SDM2006-144 ICD2006-98
pp.111-114
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