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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
10:55
熊本 熊本市 [招待講演]high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子小林正治平本俊郎東大SDM2015-67 ICD2015-36
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] SDM2015-67 ICD2015-36
pp.53-57
SDM 2014-10-17
14:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2014-94
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2014-94
pp.61-68
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
Koichiro IshibashiUEC)・Nobuyuki SugiiLEAP)・Kimiyoshi UsamiSIT)・Hideharu AmanoKU)・Kazutoshi KobayashiKIT)・Cong-Kha PhamUEC)・Hideki MakiyamaYoshiki YamamotoHirofumi ShinoharaToshiaki IwamatsuYasuo YamaguchiHidekazu OdaTakumi HasegawaShinobu OkanishiHiroshi YanagitaLEAPSDM2014-62 ICD2014-31
 [more] SDM2014-62 ICD2014-31
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
09:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2014-72 ICD2014-41
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vm... [more] SDM2014-72 ICD2014-41
pp.55-58
ICD 2014-04-18
09:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・水谷朋子平本俊郎東大ICD2014-11
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] ICD2014-11
pp.53-57
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2013-75 ICD2013-57
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評... [more] SDM2013-75 ICD2013-57
pp.47-52
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道 札幌市男女共同参画センター [依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2012-68 ICD2012-36
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] SDM2012-68 ICD2012-36
pp.29-32
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:25
北海道 札幌市男女共同参画センター 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹角村貴昭岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2012-69 ICD2012-37
65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し,バルクMOSトランジスタ... [more] SDM2012-69 ICD2012-37
pp.33-36
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more]
SDM 2009-12-04
13:00
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 [招待講演]High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性
西田征男ルネサステクノロジ/広島大)・永久克己清水昭博山下朋弘尾田秀一井上靖朗ルネサステクノロジ)・○芝原健太郎広島大/ルネサステクノロジSDM2009-159
(事前公開アブストラクト) High-k/metal gate MOSFETについて昨年のIEDMでpoly-Si ga... [more] SDM2009-159
pp.43-47
SDM 2007-10-05
15:25
宮城 東北大学 LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術
遠藤誠一丸山祥輝川崎洋司山下朋弘尾田秀一井上靖朗ルネサステクノロジSDM2007-191
本報告では、複数のspike-RTAとLSAの組み合わせに対するBF2 source/drain-extention(S... [more] SDM2007-191
pp.61-64
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