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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MI 2015-03-03
13:40
沖縄 石垣島 ホテルミヤヒラ GPUを使った3次元非線形レジストレーションの精度および速度評価
二田晴彦みずほ情報総研)・永田 毅みずほ情報総研/筑波大)・前川秀正みずほ情報総研)・谷川琢海旭川医科大)・石津浩一京大)・向井まさみ放射線医学総研)・上村幸司香川大)・鎌田 正放射線医学総研)・関 昌佳グローバル・フォー)・安藤 裕放射線医学総研
腫瘍再発のため近傍部位に複数回放射線治療を行う場合,過去の線量分布となるべく重複しないように治療計画を立てる必要がある.... [more] MI2014-106
pp.259-263
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MR
(連催) [詳細]
2015-01-23
15:45
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 シリコンスピンMOSFETの室温動作の達成
田原貴之京大)・佐々木智生TDK)・安藤裕一郎京大)・亀野 誠阪大)・小池勇人及川 亨TDK)・鈴木淑男AIT)・白石誠司京大
現在のエレクトロニクスデバイスの中心を成すCMOSトランジスタ技術はその微細化と集積化を伴って発展してきた. しかし近年... [more] MR2014-43
pp.19-24
MI 2014-01-27
14:55
沖縄 沖縄ぶんかテンブス館 ITKツールを用いた3次元非線形位置合わせ手法による複数回放射線治療の線量分布合成に関する精度評価
谷川琢海旭川医科大)・上村幸司香川大)・向井まさみ横岡由姫奥田保男放射線医学総研)・石津浩一京大)・石井茂如池田 智東芝メディカルシステムズ)・関 昌佳グローバル・フォー)・安藤 裕放射線医学総研
腫瘍再発のため近接部位に複数回放射線治療を行う場合,放射線障害のリスク低減のため,過去の線量分布となるべく重複しない治療... [more] MI2013-122
pp.347-350
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MR
(連催) [詳細]
2014-01-24
14:55
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 Fe3Siを用いた動力学的手法による高効率スピン注入の実現
市場昂基安藤裕一郎阪大)・山田晋也九大)・仕幸英治阪市大)・新庄輝也阪大)・浜屋宏平九大)・白石誠司阪大
近年, エネルギー損失のない情報伝達の手段として, 純スピン流の制御が大きな注目を浴びている. 一般的なスピン生成手法で... [more] MR2013-36
pp.21-24
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MR
(連催) [詳細]
2014-01-24
15:20
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 LaAlO3/SrTiO3界面へのスピン注入
大島 諒安藤裕一郎新庄輝也阪大)・松崎功佑須崎友文東工大)・白石誠司京大
 [more] MR2013-37
pp.25-28
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MR
(連催) [詳細]
2013-01-25
16:40
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入
小池真利子仕幸英治安藤裕一郎新庄輝也阪大)・山田晋也浜屋宏平九大)・白石誠司阪大
ゲルマニウム(Ge)は半導体の中でも高い電界効果移動度を有する材料であり、かつ、その結晶成長技術の向上により、近年、CM... [more] MR2012-43
pp.25-28
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MR
(連催) [詳細]
2013-01-25
17:05
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 C60-Coグラニュラー薄膜中におけるCoナノ粒子の電気磁気効果による巨大な磁気抵抗効果
豊川修平田村英一仕幸英治新庄輝也安藤裕一郎阪大)・ラザロフ ヴラド廣畑貴文ヨーク大)・白石誠司阪大
C60-Coグラニュラー薄膜はC60マトリクス中に単磁区構造を持つCo微粒子が分散した構造をした超常磁性体である。これま... [more] MR2012-44
pp.29-32
MI 2010-01-28
11:40
沖縄 那覇市ぶんかテンブス館 複数回の放射線治療における治療計画支援システムの構築 〜 3次元FFDによるRegistrationの精度評価 〜
谷川琢海安藤 裕放射線医学総研)・上村幸司川崎医療福祉大)・向井まさみ放射線医学総研)・増澤 高長田雅和東芝メディカルシステムズ)・塚本信宏埼玉医科大)・川口 修慶大
本研究の目的は,放射線治療の線量分布を位置合わせすることによって,より安全な治療計画の立案を可能にする次世代の放射線治療... [more] MI2009-92
pp.93-96
ED, MW
(共催)
2010-01-14
15:30
東京 機械振興会館 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET
大田一樹遠藤一臣岡本康宏安藤裕二宮本広信嶋脇秀徳NEC
パワーエレクトロニクス応用に向け、閾値制御性に優れたノーマリオフ動作リセスゲートAlGaN/GaN HFETを開発した.... [more] ED2009-189 MW2009-172
pp.81-85
ED, MW
(共催)
2008-01-16
15:50
東京 機械振興会館 CW20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器
村瀬康裕分島彰男井上 隆山之口勝己田能村昌宏中山達峰岡本康宏大田一樹安藤裕二黒田尚孝松永高治宮本広信新機能素子研究開発協会/NEC
AlGaN/GaNトランジスタを用いた準ミリ波帯高出力増幅器モジュールを作製した。電流コラプスを抑え高出力化を図るため、... [more] ED2007-212 MW2007-143
pp.33-38
SDM 2007-12-14
14:10
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価
平岩佑介京大)・安藤裕一郎熊野 守上田公二佐道泰造宮尾正信九大)・鳴海一雅原子力機構)・前田佳均京大
ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて,エピタキシャル成長したFe3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した.軸配... [more] SDM2007-230
pp.35-38
ED, SDM, R
(共催)
2006-11-24
14:10
大阪 中央電気倶楽部 β-FeSi2のイオンビーム合成:アニールによるSi空孔の変化
上西隆文安藤裕一郎前田佳均京大
 [more] R2006-33 ED2006-178 SDM2006-196
pp.11-14
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