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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2014-11-06
10:05
東京 機械振興会館 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル
呂 鴻飛佐藤伸吾大村泰久関西大)・アブヒジット マリックカルカッタ大
本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET(ADG-TFET)の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャ... [more] SDM2014-96
pp.1-6
SDM 2014-11-06
10:30
東京 機械振興会館 Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討
大村泰久佐藤伸吾関西大)・アブヒジット マリックカルカッタ大
 [more] SDM2014-97
pp.7-12
SDM 2013-11-15
11:15
東京 機械振興会館 Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル
大村泰久・○佐藤大貴佐藤伸吾関西大)・Abhijit Mallikカルカッタ大
本報告では、LSIの低エネルギー化を目標として幅広く検討されているTunnel FETの実用的なモデルの構築を目指して、... [more] SDM2013-109
pp.55-60
ISEC, LOIS
(共催)
2011-11-15
16:05
大阪 大阪電気通信大学 マルコフモデルに基づくランダム化算術コードの非安全性について
趙 亮西出隆志九大)・アドヒカリ オヴィシックUniv. of Calcutta)・李 京鉉Pukyong National Univ.)・櫻井幸一九大
An improvement of arithmetic coding (AC) has been proposed i... [more] ISEC2011-61 LOIS2011-55
pp.181-188
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