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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
13:15
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [依頼講演]パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
石井雄一郎田中美紀藪内 誠澤田陽平田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・Tien Yu LuChun Hsien HuangShou Sian ChenYu Tse KuoChing Cheng LungOsbert Chengユナイテッド・マイクロエレクトロニクスSDM2018-40 ICD2018-27
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] SDM2018-40 ICD2018-27
pp.83-88
ICD 2017-04-21
13:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]60nm CAAC-IGZO FETと65nm CMOSを組み合わせて作成した組み込みメモリとARM Cortex-M0コア
大貫達也磯部敦生安藤善範岡本 悟加藤 清半導体エネルギー研)・T R YewChen Bin LinJ Y WuChi Chang ShuaiShao Hui WuUnited Microelectronics Corporation)・James MyersARM)・Klaus DopplerNokia Technologies)・藤田昌宏東大)・山崎舜平半導体エネルギー研ICD2017-17
 [more] ICD2017-17
pp.89-93
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