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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
15:25
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法
福留秀暢富士通マイクロエレクトロニクス)・堀 陽子富士通クオリティ・ラボ)・保坂公彦籾山陽一佐藤成生杉井寿博富士通マイクロエレクトロニクスSDM2009-106 ICD2009-22
我々はゲート幅方向へ傾斜させた平行エクステンション注入によりnMOSFETのVthばらつきが15%低減することを初めて実... [more] SDM2009-106 ICD2009-22
pp.49-52
ED 2009-06-11
13:00
東京 東京工業大学 高dose II剥離におけるSPMレス洗浄の検討
佐藤俊哉鈴木 保塚原彰彦富士通マイクロエレクトロニクス)・森平恭太アクアサイエンス
 [more]
ICD 2009-04-13
15:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) [パネル討論]低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?
日高秀人ルネサステクノロジ)・山岡雅直日立)・宮野信冶東芝)・秋山 悟日立)・杉林直彦NEC)・川嶋将一郎富士通マイクロエレクトロニクス)・尾坂匡隆パナソニックICD2009-4
SOC向けの低電圧メモリは混載SRAMが主流であるが、微細化に伴い、ロジックコア電圧に追随した低電圧化の困難化、待機電力... [more] ICD2009-4
p.19
CAS, CS, SIP
(共催)
2009-03-03
13:10
岐阜 岐阜長良川温泉国際会議場 [ポスター講演]1Gbps IPsecアクセラレータのルータへの応用
浅野和也青木智一長友晃彦菅原 拓橋田淳一阿部紀夫岡本 論上野悠也七夕雅俊富士通LSIソリューション)・大久保好幸富士通マイクロエレクトロニクスCAS2008-126 SIP2008-189 CS2008-100
低消費電力で1Gbpsフルワイヤ処理が可能な1Gbps IPsecアクセラレータの開発について前回報告したが,今回は同じ... [more] CAS2008-126 SIP2008-189 CS2008-100
pp.145-146
DC 2009-02-16
10:25
東京 機械振興会館 スキャンテストにおけるテスト不可能故障の検出を削減するためのテスト生成法
吉村正義九大)・○小河宏志日大)・大森悠翔富士通マイクロエレクトロニクス)・細川利典日大)・山崎浩二明大DC2008-69
スキャンテストは,VLSIのテスト方式として広く普及しているが,回路構造の情報のみを利用したテスト法で,シフト動作によっ... [more] DC2008-69
pp.7-12
ICD, SDM
(共催)
2008-07-18
15:30
東京 機械振興会館 ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET ~ ハイブリッド・ゲート構造 ~
大田裕之富士通研)・川村和郎富士通マイクロエレクトロニクス)・福留秀暢富士通研)・田島 貢岡部堅一富士通マイクロエレクトロニクス)・○池田圭司保坂公彦籾山陽一佐藤成生杉井寿博富士通研SDM2008-148 ICD2008-58
本論文では新しい歪み技術である不純物閉じ込め層(DCL)をNMOSに、2層のNiフルシリサイド(Ni-FUSI)をPMO... [more] SDM2008-148 ICD2008-58
pp.115-120
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