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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2017-04-21 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM ○澤田陽平・藪内 誠・森本薫夫（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）  ICD2017-12 |
[more] | ICD2017-12 pp.63-65 |
| DC | 2017-02-21 12:00 |
東京 | 機械振興会館 | 機械学習を用いたフェールチップ判別の性能向上に関する検討 ○柚留木大地・大竹哲史（大分大）・中村芳行（ルネサス システムデザイン） DC2016-77 |
今日，半導体技術の進歩によるLSIの高集積化によりLSIの低価格化が進んでいる． LSIの品質を保ちつつ，テストコスト... [more] |
DC2016-77 pp.17-22 |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 15:25 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM ○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・良田雄太・柴田 健・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] | EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 pp.87-92 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 13:20 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC ○高橋睦史・芝原真一・福岡一樹・松嶋 潤・北地祐子（ルネサス システムデザイン）・島崎靖久・原 博隆・入田隆宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2016-64 ICD2016-32 |
本稿では，機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する次世代自動車情報機器向けヘテロジニアス9コアSoCについて... [more] | SDM2016-64 ICD2016-32 pp.105-110 |
| ICD | 2016-04-14 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法 ○良田雄太（ルネサス システムデザイン）・横山佳巧・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・稲田敏浩・田中浩司・田中美紀・辻橋良樹（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-1 |
低消費マイコン(MCU)向けに、効率的なテストスクリーニング回路を搭載した組込みシングルポートSRAMを開発した。室温で... [more] | ICD2016-1 pp.1-6 |
| SDM | 2016-01-28 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 ○新居浩二・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-125 |
[more] | SDM2015-125 pp.21-25 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 10:20 |
熊本 | 熊本市 | 半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発 ○新川田裕樹・坪井信生（ルネサス エレクトロニクス）・津田淳史（ルネサス システムデザイン）・佐藤伸吾（関西大）・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-58 ICD2015-27 |
量産段階での活用を目指した狭いスクライブライン領域に搭載可能なアレイTEGを開発した。HSD-S(High sensit... [more] | SDM2015-58 ICD2015-27 pp.7-10 |
| ICD | 2015-04-16 13:25 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM 田中信二・石井雄一郎・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中浩司・塚本康正・○新居浩二・佐藤広利（ルネサス エレクトロニクス） ICD2015-2 |
[more] | ICD2015-2 pp.5-8 |
| ICD | 2014-04-18 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］28nmテクノロジを用いた400MHz 4-Parallel 1.6Gsearch/s 80Mb Ternary CAMの設計 ○新居浩二・天野照彦・渡邊直也（ルネサス エレクトロニクス）・山脇 実・吉永賢司・和田実邦子（ルネサス システムデザイン）・林 勇（ルネサス エレクトロニクス） ICD2014-14 |
[more] | ICD2014-14 pp.71-76 |
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