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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD ○Makoto Miyoshi・Shigeaki Sumiya・Mikiya Ichimura・Tomohiko Sugiyama・Sota Maehara・Mitsuhiro Tanaka（NGK）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.）  ED2010-105 SDM2010-106 |
[more] | ED2010-105 SDM2010-106 pp.241-244 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 13:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定 ○渡邉 新・江川孝志（名工大） ED2010-17 CPM2010-7 SDM2010-17 |
[more] | ED2010-17 CPM2010-7 SDM2010-17 pp.1-4 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性 ○永井一弘・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大） ED2010-18 CPM2010-8 SDM2010-18 |
[more] | ED2010-18 CPM2010-8 SDM2010-18 pp.5-9 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大） ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 |
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] | ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 pp.99-103 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 14:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○鈴江隆晃・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大） ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 |
Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて厚膜サンプルの特性評価を行った。耐圧測定を行ったところ、成長層膜厚の増加に... [more] | ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 pp.129-132 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性 ○星 真一・伊藤正紀・丸井俊治・大来英之・森野芳昭・玉井 功・戸田典彦・関 昇平（OKI）・江川孝志（名工大） ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 |
シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピ... [more] | ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 pp.139-144 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 14:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化 ○鈴江隆晃・鈴木暢倫・野村幸靖・江川孝志（名工大） ED2008-179 CPM2008-128 LQE2008-123 |
[more] | ED2008-179 CPM2008-128 LQE2008-123 pp.137-140 |
| ED | 2008-10-23 13:25 |
福岡 | 九州工業大学 | 低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード ○鎌田 厚（新日本無線）・江川孝志（名工大） ED2008-149 |
[more] | ED2008-149 pp.143-148 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 11:40 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer ○Tadayoshi Deguchi（New Japan Radio）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2008-41 SDM2008-60 |
[more] | ED2008-41 SDM2008-60 pp.9-14 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 10:15 |
福井 | 福井大学 | 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討 ○寺田 豊・鈴江隆晃・石川博康・江川孝志（名工大） ED2007-168 CPM2007-94 LQE2007-69 |
[more] | ED2007-168 CPM2007-94 LQE2007-69 pp.63-66 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 13:50 |
京都 | 京都大学 | Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性 ○大来英之・見田充郎・佐野芳明・丸井俊治・伊藤正紀・星 真一・戸田典彦・関 昇平（OKI）・江川孝志（名工大） |
[more] | ED2006-154 CPM2006-91 LQE2006-58 pp.13-18 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 14:15 |
京都 | 京都大学 | SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究 ○岩崎天彦・石川博康・江川孝志（名工大） |
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高出力・高周波デバイスとして期待されている。今回、電子移動度の向上を目的としMOC... [more] | ED2006-155 CPM2006-92 LQE2006-59 pp.19-22 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 格子整合系六方晶ＩｎＡｌＧａＮ四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数 ○瀧澤俊幸・中澤敏志・上田哲三・田中 毅（松下電器）・江川孝志（名工大） |
[more] | ED2005-202 MW2005-156 pp.17-21 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET ○出口忠義・脇 英司・小野 悟・山下明一・鎌田 厚・中川 敦（新日本無線）・石川博康・江川孝志（名工大） |
半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaN へテロ接合トランジスタ(LT-GaN/Al... [more] | ED2005-203 MW2005-157 pp.23-27 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT ○見田充郎・海部勝晶・伊藤正紀・佐野芳明（OKI）・石川博康・江川孝志（名工大） |
[more] | ED2005-204 MW2005-158 pp.29-34 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 14:50 |
滋賀 | 立命館大学 | GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ ○中澤敏志・上田哲三・井上 薫・田中 毅（松下電器）・石川博康・江川孝志（名工大） |
[more] | ED2005-130 CPM2005-117 LQE2005-57 pp.57-61 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 15:10 |
滋賀 | 立命館大学 | Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価 ○片山義章・石川博康・江川孝志（名工大） |
[more] | ED2005-131 CPM2005-118 LQE2005-58 pp.63-66 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原 学・中澤一志・上野弘明・廣瀬 裕・上田哲三・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大） |
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] | ED2004-212 MW2004-219 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討 ○伊藤正紀・海部勝晶・見田充郎・大来英之・戸田典彦・佐野芳明・関 昇平（OKI）・石川博康・江川孝志（名工大） |
[more] | ED2004-215 MW2004-222 pp.19-24 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT ○三好実人（名工大/日本ガイシ）・今西 敦・石川博康・江川孝志（名工大）・浅井圭一郎・柴田智彦・田中光浩・小田 修（日本ガイシ） |
100mm径エピタキシャルAlN/サファイア上へのAl0.26Ga0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を... [more] | ED2004-217 MW2004-224 pp.31-35 |
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